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BUXD87T4

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 450V 0.5A DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,BUXD87T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BUXD87T4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体旗下高性能分立器件产品线的一员,BUXD87T4是一款采用NPN型双极性结型晶体管(BJT)架构的功率器件。其核心设计旨在实现高压环境下的可靠开关与线性放大,内部结构经过优化,以平衡高击穿电压、适中的电流处理能力与良好的开关速度。该器件采用先进的半导体工艺制造,确保了在宽温度范围内的参数稳定性,为工程师提供了一个坚固且可预测的电路构建模块。

在功能特性上,该晶体管最突出的优势在于其高达450V的集电极-发射极击穿电压(VCEO,这使其能够从容应对离线式开关电源(SMPS)、电子镇流器以及电机控制中常见的市电整流后高压母线环境。同时,其500mA的连续集电极电流(IC能力,配合20W的最大功耗,为驱动继电器、小型电机或作为电源初级侧开关提供了充足的功率余量。其饱和压降在典型工作条件下(IC=200mA, IB=20mA)最大仅为1V,有助于降低导通损耗,提升整体能效。

该器件提供了关键的直流电流增益(hFE)参数,在40mA集电极电流和5V集电极-发射极电压条件下,最小增益为12,这为设计稳定的基极驱动电路提供了明确依据。其20MHz的过渡频率确保了在数十kHz至数百kHz的常见开关电源工作频率下能保持快速的开关响应,减少开关过渡期间的损耗。接口方面,BUXD87T4采用表面贴装型TO-252-3(DPak)封装,这种封装具有良好的散热特性,其金属接片可直接焊接在PCB的铜箔上来帮助散热,简化了热管理设计。其结温(TJ)最高可承受150°C,增强了其在高温环境或高负载下的鲁棒性。如需获取官方技术支持和样品,可以通过授权的ST代理渠道进行咨询与采购。

基于上述特性,BUXD87T4非常适合于需要高压开关和中等功率处理的应用场景。典型应用包括交流-直流转换器中的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、LED照明驱动电源、家用电器中的电机控制电路,以及CRT显示器或老式电视机的行输出级电路。其高耐压和DPak封装的组合,使其成为空间受限且对散热有要求的紧凑型离线式电源设计的理想选择。

  • 型号:BUXD87T4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 450V 0.5A DPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):450 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1V @ 20mA,200mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):12 @ 40mA,5V
  • 功率 - 最大值:20 W
  • 频率 - 跃迁:20MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 想获取BUXD87T4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BUXD87T4是ST意法半导体推出的一款NPN型高压双极性晶体管,采用表面贴装DPak封装。其核心卖点在于高达450V的集电极-发射极击穿电压和500mA的连续集电极电流处理能力,能够在高压开关电源和电机控制等应用中提供可靠的性能。

该器件在40mA, 5V条件下提供最小12的直流电流增益,并具有20W的最大功耗能力。其1V的低饱和压降(@200mA)有助于提升能效,而20MHz的过渡频率则确保了良好的开关速度。这些参数使其成为离线式电源转换、电子镇流器和各类高压开关电路中开关及驱动元件的优选方案。

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