BUZ10

BUZ10是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件隶属于STripFET产品系列，这一系列以其优化的单元结构和先进的工艺技术而闻名，旨在实现低导通电阻与高开关性能的平衡。其核心架构基于成熟的平面MOSFET技术，通过精密的制造工艺，在硅片上构建了高密度的单元阵列，从而有效降低了单位面积的导通损耗，并提升了器件的整体鲁棒性。

该MOSFET的突出特性在于其高达23A的连续漏极电流承载能力（在壳温条件下）以及50V的漏源击穿电压，这使其能够胜任中等功率等级的开关与线性调节任务。其导通电阻在10V栅极驱动电压、14A漏极电流条件下，典型值仅为70毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。栅极阈值电压最大值为4V，确保了与标准逻辑电平或微控制器IO口的良好兼容性，而±20V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全裕度。

在动态特性方面，输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为900pF，这一参数对于评估开关速度与驱动电路设计至关重要。器件采用通孔TO-220AB封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功耗可达75W（壳温条件），结合高达175°C的结温工作能力，使其能够在严苛的热环境下稳定运行。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关产品信息与库存状态。

凭借其均衡的性能参数，BUZ10非常适用于需要高效功率处理的各类应用场景。例如，在开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流电路中，其低导通电阻有助于提升整体转换效率。它也常被用于电机驱动控制、DC-DC转换器、音频放大器输出级以及作为通用负载开关。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其在存量设备维护或特定设计延续中仍具参考价值。

• 型号:BUZ10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 23A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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BUZ10是ST意法半导体STripFET系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件设计用于提供高效的功率开关与控制，其核心优势在于50V的漏源电压和高达23A的连续漏极电流处理能力，能够满足中等功率应用的需求。

其技术亮点包括在10V栅极驱动下仅70毫欧的低导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，器件支持±20V的宽栅极电压范围，并具备175°C的最大结温工作能力，确保了在多种工况下的可靠性与稳定性。