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BYT261PIV-1000的图片

BYT261PIV-1000

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE MODULE GP 1000V 60A ISOTOP
原厂封装:封装:ISOTOP
优势价格,BYT261PIV-1000的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BYT261PIV-1000的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BYT261PIV-1000是ST意法半导体推出的一款高性能底座安装式快速恢复二极管模块,采用紧凑的ISOTOP封装。该模块内部集成了两个独立的快速恢复二极管单元,构成一个高效的整流器阵列,专为高功率、高频率的开关应用而设计。其核心架构基于先进的半导体工艺,确保了在严苛工况下的高可靠性与电气性能的稳定性,模块化设计也极大简化了系统散热管理和PCB布局的复杂性。

该器件最显著的特性在于其卓越的快速恢复性能与高耐压能力。其反向恢复时间(trr)典型值仅为170纳秒,属于快速恢复类型(≤ 500ns),这使其在开关电源、逆变器等高频电路中能有效降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。同时,模块具备高达1000V的最大直流反向电压(Vr)承受能力,以及每二极管60A的平均整流电流(Io)处理能力,展现了强大的功率处理等级。在正向导通特性上,其在60A电流下的正向压降(Vf)仅为1.9V,这意味着更低的导通损耗和更高的整体能效。此外,在最高1000V反向电压下,其反向漏电流(Ir)被控制在100A的极低水平,体现了优异的阻断特性。

在接口与参数方面,BYT261PIV-1000采用底座安装形式,便于直接安装在散热器上,以实现高效的热管理,这对于处理大电流应用至关重要。其ISOTOP封装提供了优异的电气隔离和机械强度。虽然该产品目前已处于停产状态,但其技术规格包括快速恢复速度、高电压电流等级以及低导通压降使其在存量市场或特定升级方案中仍具参考价值。对于需要此类高性能二极管模块的工程师,可以通过正规的ST中国代理渠道咨询库存或替代方案信息。

基于其技术参数,该模块典型的应用场景集中在工业电力电子领域。它非常适合用于高频开关模式电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)电路不同断电源(UPS)系统以及电机驱动和工业逆变器的整流与续流环节。在这些应用中,其快速恢复特性对于提升系统开关频率、减小无源元件体积、提高功率密度具有关键作用,而高耐压和高电流能力则保障了系统在主功率路径上的可靠运行。

  • 型号:BYT261PIV-1000
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ISOTOP
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE MODULE GP 1000V 60A ISOTOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 二极管配置:2 个独立式
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):60A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 60 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):170 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 1000 V
  • 工作温度 - 结:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:ISOTOP
  • 供应商器件封装:ISOTOP
  • 想获取BYT261PIV-1000的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BYT261PIV-1000是ST意法半导体生产的一款底座安装式二极管模块,属于整流器阵列系列。该模块集成了两个独立的快速恢复二极管,核心卖点在于其1000V的高反向耐压每二极管60A的强大平均整流电流能力,能够处理高功率应用。

其技术优势突出体现在快速开关性能上,反向恢复时间仅为170ns,配合1.9V @ 60A的低正向压降,能有效降低高频开关电路中的导通与开关损耗,提升系统整体效率。该模块采用ISOTOP封装,便于散热设计,适用于对效率和可靠性要求严苛的功率电子场合。

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