BZW50-12B

作为一款来自ST意法半导体的高性能瞬态电压抑制（TVS）二极管，BZW50-12B隶属于TRANSIL产品系列下的BZW50家族，采用经典的轴向R-6封装，为通孔安装提供了便利。其核心设计基于齐纳击穿原理，内置一个双向通道，能够对正负两个方向的瞬态过电压进行有效箝位，为电路提供对称的保护。这种双向保护特性使其尤其适用于交流线路或可能存在反向浪涌的直流应用场景，无需考虑极性安装问题，简化了电路设计。

该器件的关键性能参数体现了其强大的浪涌吸收能力。其标称反向关断电压为12V，最小击穿电压为13.3V，确保在正常12V工作电压下具有极低的漏电流。当遭遇瞬态浪涌冲击时，它能将电压迅速箝位在最高28V的水平，从而保护后端精密元件。其峰值脉冲功率高达5000W（5kW），在10/1000s波形下可承受高达2143A（约2.14kA）的峰值脉冲电流，或在8/20s波形下达到同等等级的浪涌处理能力，这使其能够抵御如雷击感应、感性负载切换等产生的剧烈能量冲击。

在接口与电气特性方面，BZW50-12B的典型电容值在1MHz频率下为9250pF。这一参数对于高速数据线路的保护是需要权衡的因素，但在其主要的电源端口保护和通用型应用领域，其高能量处理能力是首要优势。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过授权的ST代理商获取原装正品，确保产品的一致性和长期可靠性。

基于其通用型的产品定位和强大的箝位能力，BZW50-12B广泛应用于需要12V电源轨保护的各类电子设备中。典型应用包括但不限于工业控制系统的电源输入端口、汽车电子中的负载突降保护、通信设备的直流电源防护以及消费类电子产品的AC-DC适配器次级侧保护。其稳健的设计和经过验证的TRANSIL技术，为工程师提供了一种高效、可靠的电路保护解决方案，有效提升系统在恶劣电气环境下的鲁棒性和使用寿命。

• 型号:BZW50-12B
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:R-6
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 12VWM 28VC R6
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:-
• 双向通道:1
• 电压 - 反向断态（典型值）:12V
• 电压 - 击穿（最小值）:13.3V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:28V
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):2143A（2.143kA）（8/20s）
• 功率 - 峰值脉冲:5000W（5kW）
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:9250pF @ 1MHz
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:R-6，轴向
• 供应商器件封装:R-6
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BZW50-12B是ST意法半导体推出的一款12V双向TVS二极管，属于TRANSIL系列的BZW50产品家族。该器件采用轴向R-6通孔封装，核心功能是为12V电源线路提供高效的瞬态过电压保护。

其核心卖点在于卓越的浪涌抑制能力。器件具备高达5000W的峰值脉冲功率，能够承受超过2.1kA（8/20s或10/1000s）的浪涌电流冲击，并将过电压箝位在最高28V，从而有效保护后端敏感电路。其双向通道设计可应对正负两个方向的电压瞬变，适用于通用型保护场景，是提升系统可靠性和电磁兼容性（EMC）的关键元件。