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BZW50-33B的图片

BZW50-33B

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 33VWM 76VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-33B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-33B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体TRANSIL系列BZW50家族的一员,BZW50-33B是一款采用轴向通孔封装(R-6)的瞬态电压抑制(TVS)二极管,其核心设计基于成熟的齐纳击穿原理。该器件内部集成了一个双向通道,能够对正负两个方向的瞬态过电压进行有效箝位,为电路提供双向保护。这种架构使其无需区分极性即可接入电路,简化了设计布局和安装流程,特别适合应对来自电源线、信号线或数据线的双向浪涌威胁。

该器件的关键性能参数体现了其强大的保护能力。其反向断态工作电压(VRWM)为33V,确保在正常电路电压下保持高阻抗状态,不影响系统运行。当瞬态电压超过其最小击穿电压36.6V时,器件迅速进入低阻抗的雪崩击穿状态。在承受标准8/20s波形、峰值高达789A的浪涌电流冲击时,其箝位电压(VC)最大值被有效限制在76V,从而将后续敏感电路承受的过压风险降至最低。高达5kW的峰值脉冲功率处理能力是其核心优势之一,意味着它能吸收并耗散巨大的瞬态能量,为被保护设备构筑起一道坚固的防线。

在接口与参数方面,该器件采用经典的轴向引线封装,便于通过通孔方式焊接在PCB上,提供可靠的机械和电气连接。其典型结电容在1MHz频率下为2875pF,这一参数对于高速数据线路的保护是需要权衡考虑的因素,但在多数通用电源和低频信号保护场景中是可以接受的。其“通用”的应用分类和“有源”的产品状态,表明了其广泛的适用性和稳定的供货保障,用户可以通过正规的ST代理商渠道进行采购。

基于其33V的工作电压和强大的浪涌抑制能力,BZW50-33B非常适合应用于需要可靠过压保护的各类电子系统中。典型应用场景包括但不限于:工业控制设备的电源输入端口保护,以抵御电网波动或感性负载切换产生的浪涌;通信设备及网络接口的防护,防止雷击感应或静电放电(ESD)造成的损害;以及汽车电子、消费类电子产品的直流电源线路保护。它为设计工程师提供了一种经过验证的、高效的解决方案,用以提升最终产品的可靠性和抗干扰能力,满足日益严苛的电磁兼容(EMC)要求。

  • 型号:BZW50-33B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 33VWM 76VC R6
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):33V
  • 电压 - 击穿(最小值):36.6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):76V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):789A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:2875pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-33B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-33B是ST意法半导体推出的一款大功率瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于TRANSIL系列。该器件设计用于为33V工作电压的电路提供双向过压保护,其核心卖点在于高达5kW的峰值脉冲功率和789A(8/20s)的浪涌电流处理能力,能够将危险的瞬态电压箝位至最大76V,从而有效保护后续敏感元器件。

器件采用通孔轴向封装(R-6),便于安装。其双向保护特性简化了电路设计,适用于需要抵御正负双向浪涌冲击的通用型应用场景,是提升电源线路、接口及通用电子设备可靠性的关键保护组件。

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