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BZW50-68B

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 68VWM 157VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-68B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-68B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BZW50-68B是ST意法半导体推出的TRANSIL系列瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用经典的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护架构。该器件设计用于在极短时间内(纳秒级)响应并吸收来自外部环境的异常高压瞬态脉冲,例如静电放电(ESD)、电感负载切换或雷击感应浪涌,从而将下游敏感电子元器件的电压钳制在一个安全的水平,是电路保护方案中的关键屏障。

该器件具备双向通道保护能力,能够有效抑制来自正负两个方向的过压瞬变,为交流信号线路或对极性不明确的干扰提供全面防护。其核心电气性能突出,标称反向关断电压为68V,最小击穿电压为75.6V,确保在正常工作电压下呈现高阻态,对电路影响微乎其微。一旦遭遇超过其击穿电压的浪涌,它能迅速动作,在承受高达382A(8/20s波形)的峰值脉冲电流时,将钳位电压最大值控制在157V,展现出强大的5kW峰值脉冲功率处理能力,可有效分散和耗散巨大的瞬时能量。

在接口与参数方面,BZW50-68B采用通孔安装的轴向R-6封装,便于在PCB板上进行可靠的焊接。其典型结电容在1MHz频率下为1500pF,这一特性使其更适合用于对信号完整性要求相对宽松的电源总线或低频数据线的保护,而非高速数据线路。作为一款“通用”应用型TVS二极管,其设计兼顾了性能与成本,适用于广泛的工业与消费电子环境。用户可通过官方授权的ST代理渠道获取该产品,以确保元器件的正宗来源与技术支持。

基于其稳健的68V工作电压平台和强大的浪涌吸收能力,BZW50-68B非常适合部署在工业自动化控制系统的电源输入端口、通信设备的直流供电线路、汽车电子中的12V/24V电源网络保护,以及任何需要应对IEC 61000-4-5标准中雷击浪涌测试的场合。它为工程师提供了一种经过验证的、高效的电路保护解决方案,显著提升终端产品的可靠性与耐久性。

  • 型号:BZW50-68B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 68VWM 157VC R6
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):68V
  • 电压 - 击穿(最小值):75.6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):157V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):382A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:1500pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-68B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-68B是ST意法半导体TRANSIL系列中的一款通用型双向瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件核心功能是在纳秒级时间内钳制异常高压瞬变,其关键参数包括68V的反向关断电压、157V的最大钳位电压以及高达5kW的峰值脉冲功率处理能力,能够承受382A(8/20s)的强浪涌电流冲击。

其双向保护特性使其能有效防护正负极性浪涌,适用于电源总线等通用保护场景。器件采用轴向R-6通孔封装,在1MHz下的典型结电容为1500pF,为工程师在工业控制、通信设备及汽车电子等领域的电源线路保护提供了一个可靠且高性价比的解决方案。

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