ST代理,ST芯片代理,ST代理商
ST代理商渠道,ST芯片一站式采购平台
ST意法半导体芯片的即时报价、快速出货、无最低起订量
ST
CBTVS2A12-1F3的图片

CBTVS2A12-1F3

ST图标
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 10VWM 15VC 4FLIPCHIP
原厂封装:封装:4-覆晶
优势价格,CBTVS2A12-1F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
电话询问价格
CBTVS2A12-1F3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

CBTVS2A12-1F3是ST意法半导体推出的一款采用先进Flip-Chip(倒装芯片)封装技术的单向瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件基于成熟的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护架构,其半导体结经过优化设计,能够在纳秒级时间内响应并吸收来自静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)及其他电压浪涌事件所产生的瞬时高能量,从而为下游精密电路提供可靠的过压保护屏障。

该TVS二极管的关键电气特性使其在保护应用中表现出色。其反向断态电压(VRWM)典型值为10V,确保在电路正常工作时呈现高阻抗状态,对系统功耗影响极小。当瞬态电压超过其最小击穿电压(VBR(min))12V时,器件迅速进入低阻抗的雪崩导通状态,并将被保护线路上的电压箝位在最大值15V以下,这一低箝位电压特性对于保护工作电压阈值较低的现代集成电路至关重要。其能够承受高达1A(8/20s波形)的峰值脉冲电流,并耗散44W的峰值脉冲功率,展现了强大的瞬态能量吸收能力。其单向通道设计专门用于保护直流或具有明确极性信号的线路。

在物理实现上,CBTVS2A12-1F3采用了紧凑的4-XFBGA,FCBGA表面贴装封装。这种Flip-Chip封装技术不仅极大地减小了器件的寄生电感和封装尺寸,提升了高频下的响应速度,还优化了热性能,有助于将瞬态产生的热量快速耗散。这种微型化封装使其非常适合集成到空间受限的便携式设备和高速电路板设计中。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其通用型的保护定位和稳健的性能参数,CBTVS2A12-1F3广泛应用于需要10V左右工作电压保护的各类电子系统。典型应用场景包括但不限于:USB端口、HDMI接口、音频/视频输入输出线的ESD保护,以及便携式消费电子产品(如智能手机、平板电脑)、工业控制模块、车载信息娱乐系统的直流电源线和数据线的浪涌防护。其设计旨在为敏感的半导体元件构筑一道有效的第一道防线,提升整个电子系统的可靠性与鲁棒性。

  • 型号:CBTVS2A12-1F3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:4-覆晶
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 10VWM 15VC 4FLIPCHIP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):10V
  • 电压 - 击穿(最小值):12V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):15V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:44W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-XFBGA,FCBGA
  • 供应商器件封装:4-覆晶
  • 想获取CBTVS2A12-1F3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

CBTVS2A12-1F3是ST意法半导体生产的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用微型化Flip-Chip封装。该器件设计用于为工作电压在10V左右的电路提供高效的过压保护。

其核心性能参数包括10V的反向断态电压、12V的最小击穿电压以及最大15V的箝位电压,能够将危险的瞬态过电压迅速限制在安全水平。该二极管可承受1A的峰值脉冲电流和44W的峰值脉冲功率,具备可靠的瞬态能量吸收能力。其紧凑的表面贴装封装适用于高密度PCB布局,是保护通用直流线路和数据接口免受ESD及浪涌损坏的理想选择。

了解更多ST芯片的报价及技术资料
ST芯片代理的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格
ST公司(意法半导体)授权的国内ST一级代理一手货源,大小批量出货
ST中国代理商