D44H11FP

D44H11FP是ST意法半导体推出的一款NPN型功率双极性晶体管（BJT），采用TO-220FP绝缘封装。该器件基于成熟的硅平面工艺，其核心架构旨在实现高电流处理能力与良好的电压阻断特性之间的平衡。内部结构经过优化，集电极-发射极饱和压降较低，这有助于在开关和线性放大应用中减少导通损耗，提升整体能效。

该晶体管的功能特点突出其作为功率开关和驱动器的实用性。其集电极电流（Ic）额定值高达10A，并能在高达80V的集电极-发射极电压下稳定工作，为中等功率应用提供了宽裕的设计余量。直流电流增益（hFE）在4A、1V条件下最小值为40，确保了在较大电流下仍能提供有效的电流放大，简化了基极驱动电路的设计。其集电极-发射极饱和压降典型值较低（1V @ 400mA, 8A），这意味着在导通状态下功耗更小，发热得到有效控制。此外，高达36W的最大功耗和150°C的结温（TJ）使其具备良好的热鲁棒性，适合在要求苛刻的环境下运行。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

在接口与关键参数方面，D44H11FP采用标准的三引脚通孔TO-220FP封装，便于安装和散热。其集电极截止电流（Icbo）最大值仅为10A，体现了器件在关断状态下的低泄漏特性，有助于降低待机功耗。虽然该系列产品目前已处于停产状态，但其经过市场验证的可靠性和参数组合，使其在现有库存或特定替代方案中仍具参考价值。设计时需重点考量其安全工作区（SOA）、热阻以及必要的散热措施，以确保在最大额定参数内稳定工作。

D44H11FP典型的应用场景涵盖工业控制、汽车电子和消费类电源领域。它常被用于开关电源的初级侧开关、电机驱动电路中的H桥或半桥驱动器、线性稳压器的调整管，以及各种继电器、电磁阀或灯具的驱动级。其坚固的封装和电气特性使其能够胜任需要承受浪涌电流和瞬时过压的场合，是工程师在构建可靠、高效的功率处理单元时的一个经典选择。

• 型号:D44H11FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 80V 10A TO-220FP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 400mA，8A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:10A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 4A，1V
• 功率 - 最大值:36 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 想获取D44H11FP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

D44H11FP是ST意法半导体生产的一款NPN功率双极性晶体管，采用TO-220FP绝缘封装。其核心电气参数定义了其在功率电子领域的适用性：10A的集电极电流和80V的集射极击穿电压构成了其处理中等功率的基础能力，而在4A电流下最小40的直流电流增益（hFE）则保证了有效的电流驱动与放大。

该器件在性能上注重效率与可靠性，其集电极-发射极饱和压降典型值较低（1V @ 400mA, 8A），有助于降低导通状态下的功率损耗。结合36W的最大功耗和150°C的最高工作结温，D44H11FP能够应对一定的热应力，适合用于开关模式电源、电机驱动及线性放大器等需要稳定功率开关或放大的电路设计中。