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DA112S1RL的图片

DA112S1RL

ST图标
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 15VWM 8-SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,DA112S1RL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DA112S1RL的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

DA112S1RL是ST意法半导体推出的一款采用8-SOIC封装、表面贴装型的TVS(瞬态电压抑制)二极管阵列。该器件属于DA1产品系列,其核心架构集成了六个独立的单向TVS二极管通道,采用转向装置(轨至轨)设计,能够为多路信号线或数据线提供高效的瞬态过电压保护。这种阵列式设计在有限的封装空间内实现了高密度的保护功能,特别适合现代高集成度电子设备对电路板空间和可靠性的严苛要求。

该器件的核心功能特点在于其稳健的瞬态能量吸收能力。其反向断态电压典型值为15V,为受保护线路提供了一个明确的工作电压窗口。当线路上的瞬态电压超过此阈值时,器件会迅速响应,将电压箝位在一个安全水平,从而防止后续敏感电路因过压冲击而损坏。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在极端环境温度下的稳定性和可靠性,满足工业级和汽车级应用对温度适应性的需求。对于需要可靠元器件供应的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购,以确保产品的正品来源和技术支持。

在接口与关键参数方面,DA112S1RL的8-SOIC封装(3.90mm宽)符合行业标准的表面贴装工艺要求,便于自动化生产。六个单向通道的配置使其能够同时保护多达六条独立的信号线路,例如常见的数字通信总线(如IC、SPI)、传感器接口或低速控制线。其“通用”的应用分类意味着它适用于广泛的、需要防止静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)及其他电压浪涌的场合。虽然具体的峰值脉冲电流、箝位电压和电容值等动态参数需参考详细的数据手册,但其基础规格已明确了其在15V工作系统下的保护定位。

基于其多通道、通用型保护和宽温域的特性,DA112S1RL非常适合应用于空间受限且需要多线防护的电子系统。典型应用场景包括工业自动化控制板上的传感器与执行器接口、消费电子产品的数据端口(如USB侧通道)、车载信息娱乐系统的外围接口,以及通信设备中的低速控制线路。在这些场景中,它作为第一道防线,有效提升整个系统的电磁兼容性(EMC)和抗浪涌能力,保障核心处理单元的长期稳定运行。

  • 型号:DA112S1RL
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 15VWM 8-SOIC
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:转向装置(轨至轨)
  • 单向通道:6
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):15V
  • 电压 - 击穿(最小值):-
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取DA112S1RL的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

DA112S1RL是ST意法半导体生产的一款TVS二极管阵列,采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了六个独立的单向保护通道,其反向断态电压典型值为15V,专为多路信号线的瞬态电压抑制设计。

其核心价值在于为通用型应用提供高密度的电路保护解决方案,能够有效抵御ESD等过压事件。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围,确保了在苛刻环境下的可靠性,适用于需要 robust 保护设计的工业、消费及车载电子系统。

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