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DVIULC6-2M6

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 5VWM 17VC 6UQFN
原厂封装:封装:6-QFN(1.45x1.0)
优势价格,DVIULC6-2M6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DVIULC6-2M6的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

在高速数据接口和精密信号线路的保护设计中,DVIULC6-2M6是一款由ST意法半导体推出的高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列。该器件采用紧凑的6-UFDFN封装,专为保护对电容极其敏感的差分高速数据线(如HDMI、DisplayPort、USB等)免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)及其他电压瞬变事件的损害而优化设计。

其核心架构基于先进的硅基半导体工艺,集成了两个独立的单向保护通道。每个通道均采用轨至轨的转向装置设计,这意味着它能将来自信号线与其参考地(GND)之间的正负过压瞬态能量,高效地引导至电源轨(VCC)或地线进行泄放,从而为被保护IC的电源引脚和信号引脚之间提供了坚固的钳位屏障。这种设计特别适用于信号电压摆幅接近或等于电源电压的应用场景,确保了在整个信号动态范围内的可靠保护。

该器件的关键电气参数体现了其在保护性能与信号完整性之间的卓越平衡。其反向断态电压为5V,击穿电压最小值为6V,能够在系统正常工作时保持高阻抗状态,几乎不产生漏电流。在承受高达5A(8/20s波形)的峰值脉冲电流冲击时,其箝位电压被严格限制在最大值17V,为后级敏感电路提供了有效的电压限幅。极低的线路电容是其显著特点之一,在825MHz频率下典型值仅为0.85pF,这最大限度地减少了信号衰减和畸变,对于确保多吉比特速率数据传输的眼图质量和信号完整性至关重要。作为ST一级代理重点推广的接口保护方案之一,其品质与供货稳定性得到保障。

在接口与参数方面,其表面贴装型6-UQFN封装节省了宝贵的PCB空间,非常适合高密度板卡设计。它支持通用型应用,尤其针对需要电源线路保护的场合。凭借其优异的ESD防护能力(通常远超IEC 61000-4-2 Level 4标准)和低电容特性,DVIULC6-2M6广泛应用于消费电子、计算机外围设备、通信接口及工业控制系统中,为高清视频端口、高速数据总线、天线线路及关键数字I/O口提供了一道隐形的安全防线,显著提升终端产品的可靠性与耐用性。

  • 型号:DVIULC6-2M6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:6-QFN(1.45x1.0)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5VWM 17VC 6UQFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:转向装置(轨至轨)
  • 单向通道:2
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):5V
  • 电压 - 击穿(最小值):6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):17V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):5A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:是
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:0.85pF @ 825MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-UFDFN
  • 供应商器件封装:6-QFN(1.45x1.0)
  • 想获取DVIULC6-2M6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

DVIULC6-2M6是ST意法半导体推出的一款专为高速数据线设计的TVS二极管阵列。该器件采用6-UFDFN紧凑封装,集成了两个单向保护通道,采用轨至轨转向架构,能有效抑制ESD等瞬态过压事件。

其核心优势在于极低的线路电容(典型值0.85pF @ 825MHz)与强大的钳位能力(最大箝位电压17V @ 5A)的完美结合。5V的反向断态电压与6V的最小击穿电压确保了在正常工作时的透明性,而极低的电容特性则最大程度地保障了多吉比特高速信号的完整性,使其成为HDMI、DisplayPort、USB等接口保护的理想选择。

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