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EMIF01-TV01F3的图片

EMIF01-TV01F3

ST图标
滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:FILTER RC(PI) 75 OHMS ESD SMD
原厂封装:封装:
优势价格,EMIF01-TV01F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EMIF01-TV01F3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

EMIF01-TV01F3是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高度集成的EMI(电磁干扰)滤波与ESD(静电放电)保护器件,隶属于其IPAD系列。该器件采用先进的RC(Pi)型二阶低通滤波器架构,内部集成了精确匹配的电阻与电容网络,构成一个结构紧凑的单通道滤波单元。其核心设计理念是在极微小的封装内,为高速信号线提供有效的电磁兼容性解决方案,通过内置的75欧姆电阻与30pF电容构成的π型网络,对高频噪声进行衰减,同时集成的ESD保护结构能够有效钳位瞬态高压,保护后端敏感电路。

该芯片的一个显著特点是其超微型化的封装形式。它采用4引脚UFBGA(超细间距球栅阵列)或FCBGA封装,尺寸仅为0.76mm x 0.76mm,这使得它非常适合应用于对空间有极端要求的便携式和微型化电子设备中。尽管体积微小,但其功能完整,提供了可靠的滤波与保护性能。另一个关键特性是其集成的ESD保护功能,符合相关静电放电标准,为接口电路提供了额外的鲁棒性。其工作温度范围覆盖-30°C至85°C,确保了在多种环境条件下的稳定运行。

在电气参数方面,EMIF01-TV01F3的滤波网络由固定的75欧姆电阻和30pF电容值定义,构成了一个特性明确的二阶低通滤波器。这种RC(Pi)技术方案侧重于对特定频段噪声的抑制,尤其适用于需要控制信号边沿、滤除高频辐射噪声的应用。其表面贴装(SMD)特性兼容标准的回流焊工艺,便于自动化生产。作为一款已停产的产品,其在设计中的选用需考虑供应链的连续性,用户可通过正规的ST芯片代理渠道咨询库存或替代方案信息。

该器件的通用型设计使其能够灵活应用于多种场景。它常见于移动设备的射频前端模块、高速数据线(如USB、HDMI)、摄像头模组接口以及各类需要抑制电磁辐射并防止ESD损害的I/O端口。在这些应用中,它能有效降低设备本身的电磁发射(EMI),同时增强其对来自外部电磁干扰的抗扰度,并保护核心芯片免受静电放电事件的损伤,是提升产品整体电磁兼容性和可靠性的有效元件。

  • 型号:EMIF01-TV01F3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:
  • 类目:滤波器 > EMI/RFI 滤波器(LC,RC 网络)
  • 描述:FILTER RC(PI) 75 OHMS ESD SMD
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:低通
  • 滤波器阶数:2nd
  • 技术:RC(Pi)
  • 通道数:1
  • 中心/截止频率:-
  • 衰减值:-
  • 电阻 - 通道 (欧姆):75
  • 电流:-
  • 数值:R = 75 欧姆,C = 30pF
  • ESD 保护:是
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C
  • 应用:通用
  • 电压 - 额定:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-UFBGA,FCBGA
  • 大小 / 尺寸:0.030 长 x 0.030 宽(0.76mm x 0.76mm)
  • 高度:0.024\\
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EMIF01-TV01F3是ST意法半导体IPAD系列中的一款单通道、二阶RC(Pi)型低通滤波器,集成ESD保护功能。该器件采用固定值为75欧姆电阻和30pF电容的网络结构,专为抑制高速信号线上的电磁干扰(EMI)而设计。

其核心优势在于极致的微型化,采用0.76mm x 0.76mm的UFBGA/FCBGA封装,为空间受限的便携式电子产品提供了高效的EMC解决方案。同时,内置的ESD保护增强了接口电路的可靠性。器件工作温度范围为-30°C至85°C,采用表面贴装形式,适用于通用的信号线滤波与保护应用。

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