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ESDALC6V1F2

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 3VWM 5FLIPCHIP
原厂封装:封装:5-覆晶(1.32x0.95)
优势价格,ESDALC6V1F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDALC6V1F2的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESDALC6V1F2是意法半导体(STMicroelectronics)推出的ESDA系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用紧凑的5-WFBGA(Flip-Chip BGA)封装。该器件基于先进的齐纳二极管箝位架构,内部集成四个独立的单向保护通道,每个通道均针对3V典型反向断态电压进行优化。其核心设计目标是在极小的物理空间内,为多路低压信号线提供高效的静电放电(ESD)及瞬态过压保护,其6.1V的最小击穿电压确保了在正常工作电压下的高阻抗特性,一旦出现过压瞬态,器件能迅速响应并箝位至安全电压。

该芯片的功能特点突出体现在其25W的峰值脉冲功率处理能力以及紧凑的Flip-Chip BGA封装上。高功率处理能力使其能够吸收并消散由ESD事件(如IEC 61000-4-2标准)或电气快速瞬变(EFT)产生的高能量脉冲,有效保护下游敏感集成电路。其表面贴装型的5焊球阵列封装,不仅极大地节省了PCB空间,特别适合高密度板卡设计,其Flip-Chip技术还优化了寄生电感,提升了高速信号线路下的保护性能。工作温度范围覆盖-40°C至125°C的结温,保证了其在严苛工业与汽车电子环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的批量项目,可以咨询专业的ST一级代理获取库存与技术支持。

在接口与关键参数方面,ESDALC6V1F2专为保护典型工作电压在3V左右的线路而设计,例如USB 2.0数据线、音频接口、按键或低速串行通信线(如UART、I2C)。其单向通道特性要求在设计时需注意极性,确保阳极接被保护线路,阴极接地,以实现对正极性瞬态脉冲的有效箝位。尽管该器件不专门针对电源线路保护而设计,且部分动态参数如特定电流下的箝位电压未明确标注,但其标称的功率等级和电压特性使其成为通用型信号端口保护的经典选择之一。

ESDALC6V1F2典型的应用场景广泛覆盖消费电子、便携设备、通信模块及工业控制领域。它常用于智能手机、平板电脑的侧键或接口ESD防护,保护蓝牙、Wi-Fi模块的天线接口或数据引脚,亦可用于车载信息娱乐系统中各类传感器与控制单元的接口保护。其通用型设计和小尺寸优势,使其成为工程师在PCB布局初期进行“以防万一”的板级ESD保护设计时的常用元件,尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有产品设计和备件供应中仍具有重要参考价值。

  • 型号:ESDALC6V1F2
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:5-覆晶(1.32x0.95)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3VWM 5FLIPCHIP
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:4
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):3V
  • 电压 - 击穿(最小值):6.1V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:25W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:5-WFBGA,FCBGA
  • 供应商器件封装:5-覆晶(1.32x0.95)
  • 想获取ESDALC6V1F2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDALC6V1F2是ST意法半导体ESDA系列中的一款TVS二极管,采用齐纳箝位原理,为核心电压约3V的敏感信号线路提供静电放电(ESD)保护。该器件集成四个单向保护通道于单一的5焊球Flip-Chip BGA封装内,在极小占板面积下实现多线路防护。

其关键参数包括6.1V的最小击穿电压和25W的峰值脉冲功率,能够有效吸收并消散瞬态过压能量。工作温度范围-40°C至125°C(TJ),确保其在宽温环境下的可靠性,适用于各类通用型信号端口的板级保护设计。

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