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ESDALC6V1M3

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 5VWM SOT883
原厂封装:封装:SOT-883
优势价格,ESDALC6V1M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDALC6V1M3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESDALC6V1M3是意法半导体(STMicroelectronics)推出的ESDA系列瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的TRANSIL技术构建。该器件基于齐纳二极管核心架构,集成了两个单向保护通道,专门设计用于在极小的封装内提供高效的静电放电(ESD)和电气快速瞬变(EFT)保护。其核心工作原理依赖于精确的雪崩击穿机制,当施加在其两端的反向电压超过预设的击穿阈值时,器件会迅速从高阻态切换到低阻态,从而将过电压能量旁路至地,有效箝位敏感信号线上的瞬态尖峰,保护下游集成电路免受损坏。

该器件的一个显著特点是其极低的钳位电压和快速响应时间,这对于保护高速数据接口至关重要。其击穿电压最小值为6.1V,而典型反向断态电压为5V,确保了在正常工作电压下的高阻抗和低泄漏电流。得益于其超低的结电容,典型值仅为11pF @ 1MHz,ESDALC6V1M3能够应用于高速数据线路(如USB、HDMI、天线接口等)而不会引起信号完整性的显著劣化,如信号衰减或边沿失真。其峰值脉冲功率处理能力达到30W,能够吸收并耗散可观的瞬态能量。用户可以通过正规的ST代理商获取该产品,确保货源的正规性与技术支持。

在接口与参数方面,该器件采用表面贴装型的SC-101(SOT-883)超紧凑封装,尺寸极小,非常适合空间受限的便携式电子设备。其工作结温范围宽达-40°C至125°C,保证了在严苛环境下的可靠性与稳定性。作为一款通用型保护器件,它不具备专门的电源线路保护功能,但其优异的ESD防护性能使其成为信号线保护的理想选择。其设计平衡了保护强度与信号保真度,是满足IEC 61000-4-2等国际ESD防护标准的有效解决方案。

在应用场景上,ESDALC6V1M3广泛应用于需要高可靠性ESD保护的消费电子、通信设备和工业控制领域。典型应用包括智能手机、平板电脑的按键、触摸屏接口、音频端口及射频天线;在物联网(IoT)设备中,用于保护传感器接口、无线模块(如蓝牙、Wi-Fi)的数据线;此外,在各类接口连接器、USB 2.0数据线、SIM卡座以及高速数字视频接口的次级保护电路中,它都能提供至关重要的防护屏障,提升终端产品的电磁兼容性(EMC)和整体鲁棒性。

  • 型号:ESDALC6V1M3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-883
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5VWM SOT883
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:最后售卖
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:2
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):5V
  • 电压 - 击穿(最小值):6.1V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:30W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:11pF @ 1MHz
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-101,SOT-883
  • 供应商器件封装:SOT-883
  • 想获取ESDALC6V1M3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDALC6V1M3是意法半导体推出的一款采用SOT-883(SC-101)超小型封装的TVS二极管,属于其ESDA, TRANSIL产品系列。该器件基于齐纳技术,集成两个单向通道,专为敏感电子线路的瞬态电压抑制设计。

其核心优势在于极低的11pF典型结电容6.1V的最小击穿电压,这使其能够在提供有效ESD保护(峰值脉冲功率30W)的同时,最大限度地减少对高速信号完整性的影响。器件工作温度范围覆盖-40°C至125°C,适用于通用型信号线路的静电放电防护应用。

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