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ESDARF02-1BU2CK的图片

ESDARF02-1BU2CK

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 3.6VWM 12VC 0201
原厂封装:封装:0201
优势价格,ESDARF02-1BU2CK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESDARF02-1BU2CK的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESDARF02-1BU2CK是ST意法半导体推出的一款采用先进硅基工艺制造的瞬态电压抑制(TVS)二极管,其核心架构基于优化的齐纳(Zener)二极管设计。该器件采用单双向通道结构,能够在正负两个方向上对瞬态过压事件进行快速响应与箝位,为敏感电路提供双向保护。其精密的半导体结设计和微缩化封装工艺,确保了在极小的物理尺寸内实现稳定可靠的浪涌能量吸收能力。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的静电放电(ESD)和电气快速瞬变(EFT)防护性能上。其反向断态电压典型值为3.6V,击穿电压最小值为5V,能够在纳秒级时间内响应过压冲击,并将箝位电压有效限制在12V(最大值)以下,从而将后续电路承受的电压应力降至安全范围。尤为关键的是,它在提供高达1A(8/20s波形)峰值脉冲电流处理能力的同时,保持了极低的寄生电容,典型值仅为0.2pF @ 200MHz ~ 3GHz,这一特性对于保护高速数据线(如USB、HDMI、天线接口)的信号完整性至关重要,能最大程度地减少信号衰减和失真。

在接口与关键参数方面,ESDARF02-1BU2CK采用表面贴装型的0201封装(0603公制),极其节省PCB空间,适用于高密度电路板设计。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。峰值脉冲功率处理能力为20W,能够有效吸收来自外部环境或内部开关动作产生的瞬时高能量脉冲。作为一款通用型保护器件,它不专门针对特定电源线路,而是侧重于信号线路的防护。

基于其超低电容快速响应微型化封装的核心优势,该TVS二极管非常适合应用于对信号质量和空间布局有严格要求的领域。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式消费电子产品的射频天线、高速数据端口(如USB 3.0/3.1、DisplayPort)的ESD保护;物联网(IoT)设备传感器接口及无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee)的浪涌防护;以及汽车电子中的信息娱乐系统和车载网络总线接口保护。用户可通过正规的ST授权代理渠道获取此型号,以确保产品的原装正品和稳定的供货支持。

  • 型号:ESDARF02-1BU2CK
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:0201
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3.6VWM 12VC 0201
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):3.6V
  • 电压 - 击穿(最小值):5V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):12V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1.5A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:20W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:0.2pF @ 200MHz ~ 3GHz
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0201(0603 公制)
  • 供应商器件封装:0201
  • 想获取ESDARF02-1BU2CK的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ESDARF02-1BU2CK是ST意法半导体生产的一款微型化、高性能TVS二极管,专为保护敏感电子电路免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压事件损害而设计。

该器件采用0201超小封装,核心特性包括3.6V的反向断态电压、12V的最大箝位电压以及1A的峰值脉冲电流处理能力。其最突出的技术优势在于极低的寄生电容(典型值0.2pF),这使其在提供强大过压保护的同时,几乎不会对高速信号线的完整性造成影响,非常适合用于射频接口和高速数据线的保护。

此外,它拥有-40°C至150°C的宽工作温度范围和双向保护通道,确保了在各种应用环境下的通用性和可靠性,是便携式设备、物联网节点和通信模块中空间受限设计的理想保护解决方案。

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