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ESM3030DV

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
原厂封装:封装:ISOTOP
优势价格,ESM3030DV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ESM3030DV的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ESM3030DV是ST意法半导体推出的一款高性能NPN达林顿功率晶体管,采用经典的BJT架构,专为处理高电压、大电流的严苛应用而设计。其核心采用达林顿对管结构,这种设计通过两级晶体管的直接耦合,显著提升了器件的电流放大能力,使得在相对较小的基极驱动电流下,能够稳定控制高达百安培的集电极电流。该器件集成了优化的内部结构和散热路径,确保了在高功率输出下的可靠性与稳定性。

该晶体管具备多项突出的电气特性。其集电极-发射极击穿电压高达300V,能够从容应对工业环境中常见的电压波动和浪涌冲击。最大集电极电流额定值为100A,配合高达225W的最大功耗能力,使其成为大功率开关和线性放大应用的理想选择。其直流电流增益(hFE)在85A、5V条件下最低为300,这意味着它具有出色的电流驱动效率,能够有效降低前级驱动电路的设计复杂度和成本。此外,在2.4A基极电流、85A集电极电流的典型工作条件下,其饱和压降(Vce(sat))最大值仅为1.5V,这一低导通压降特性有助于减少器件在导通状态下的功率损耗,提升整体系统能效。

在物理接口与参数方面,ESM3030DV采用了SOT-227-4(也称为miniBLOC)封装。这是一种专为大功率应用设计的底座安装封装,具有优异的导热性能和机械强度,便于与散热器紧密贴合,从而将芯片结温(Tj)有效控制在最高150°C的额定工作温度范围内。对于需要获取该器件技术资料或库存支持的工程师,可以咨询专业的ST中国代理以获取详细信息。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新设计选型时需考虑替代方案或现有库存的可用性。

凭借其高耐压、大电流和强功率处理能力,ESM3030DV非常适用于要求苛刻的工业与能源领域。典型应用场景包括大功率电机驱动控制器、不间断电源(UPS)系统中的逆变与整流模块、电焊机电源以及各类交流电机调速装置。在这些应用中,它常被用作关键的功率开关元件或线性调整元件,负责电能的高效转换与控制,其稳健的性能为系统的长期可靠运行提供了坚实基础。

  • 型号:ESM3030DV
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ISOTOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):300 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 2.4A,85A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):300 @ 85A,5V
  • 功率 - 最大值:225 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商器件封装:ISOTOP
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ESM3030DV是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管,采用底座安装的SOT-227-4封装。该器件设计用于处理极端功率条件,其核心电气参数包括300V的集射极击穿电压和100A的最大集电极电流,最大功耗能力达到225W。

其技术亮点在于高电流增益与低导通损耗的平衡。在85A、5V条件下,其直流电流增益(hFE)最小值为300,确保了高效驱动。同时,在85A集电极电流下,饱和压降最大值仅为1.5V,这有助于显著降低导通状态下的功率损耗,提升系统整体效率。这些特性使其非常适合作为大功率开关或放大器,应用于严苛的工业环境。

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