FERD15S50SB-TR

FERD15S50SB-TR是ST意法半导体推出的一款高性能表面贴装整流二极管，采用先进的场效应整流器（FERD）技术构建其核心。该技术通过创新的半导体结构设计，在单芯片上集成了优化的肖特基势垒与场效应控制机制，旨在显著降低传统快恢复二极管在开关过程中固有的电荷存储效应。这种架构使得器件在保持高电流处理能力的同时，实现了极低的正向压降和卓越的开关速度，为高效率功率转换电路提供了关键的半导体解决方案。

该器件的功能特性突出体现在其高效率与低损耗的平衡上。在高达15A的平均整流电流下，其正向压降典型值仅为490mV，这直接降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。同时，它具备快速恢复特性，恢复时间小于500ns，能有效抑制开关电源、电机驱动等应用中的反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗，减少电磁干扰。其反向漏电流在50V反向电压下控制在650A水平，确保了良好的关断特性。对于需要可靠元器件供应的客户，可以通过授权的ST代理渠道获取此产品。

在接口与参数方面，FERD15S50SB-TR采用标准的DPAK（TO-252-3）封装，便于自动化表面贴装生产，并提供了优良的散热路径。其最大反向重复电压为50V，适用于常见的低电压总线设计。紧凑的封装尺寸与强大的电流承载能力相结合，使其在有限的PCB空间内也能实现高功率密度布局。这些电气与物理参数的协同设计，确保了器件在严苛工作条件下的稳定性和长寿命。

基于其技术优势，该二极管非常适合应用于对效率和开关频率有较高要求的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的次级侧整流、直流-直流转换器、电机驱动电路中的续流或钳位二极管，以及电池充电管理模块。在这些系统中，其快速恢复和低正向压降特性有助于减少热耗散，提升功率密度，并改善系统的动态响应性能，是工程师设计下一代高效、紧凑型电力电子设备的优选元器件。

• 型号:FERD15S50SB-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE FERD 50V 15A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:50 V
• 电流 - 平均整流 (Io):15A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 15 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650 A @ 50 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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FERD15S50SB-TR是ST意法半导体生产的一款采用场效应整流器（FERD）技术的表面贴装整流二极管。该器件核心优势在于其高效率与快速开关性能的出色结合，在提供高达15A平均整流电流的同时，正向压降低至490mV，显著减少了导通损耗。

其快速恢复特性（<500ns）能有效管理开关瞬态，降低反向恢复引起的噪声和损耗。采用DPAK封装，最大反向电压50V，使其成为要求高功率密度和优异热性能的开关电源、DC-DC转换器及电机驱动等应用的理想选择。