FERD20H100STS

FERD20H100STS是ST意法半导体推出的一款高性能场效应整流器二极管（FERD），采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件基于先进的半导体工艺，其核心架构融合了肖特基二极管低正向压降与PN结二极管高反向击穿电压的优势，通过优化的结结构和外延层设计，实现了高效率与高可靠性的统一。其内部采用金属-半导体结，有效降低了多数载流子存储效应，为需要快速开关和高效整流的应用提供了理想的解决方案。

该二极管在20A额定电流下的典型正向压降仅为705mV，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其快速恢复特性（恢复时间≤500ns）使其在高频开关电路中能有效抑制反向恢复电流尖峰和相关的开关损耗，这对于现代开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路至关重要。同时，在100V反向电压下的漏电流典型值仅为140A，体现了出色的反向阻断能力，确保了系统在关断状态下的稳定性与安全性。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过授权的ST芯片代理获取此型号及相关技术支持。

在电气参数方面，FERD20H100STS定义了明确的工作边界：最大反向重复电压为100V，平均整流输出电流为20A。其快速恢复速度与低正向压降的组合，使其在高温和连续工作条件下仍能保持稳定的性能。TO-220AB封装提供了优异的散热能力，便于安装散热器以应对大电流工作产生的热量，确保器件在额定参数范围内长期可靠运行。这些接口与参数特性使其能够满足工业级应用对鲁棒性的严苛要求。

基于其技术特点，FERD20H100STS非常适合应用于对效率和频率有较高要求的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源的次级侧整流、直流-直流转换器的输出整流、电机驱动电路中的续流二极管，以及不间断电源（UPS）和工业电机的能量回收电路。其快速恢复特性也使其成为高频逆变器和焊接设备中抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI）的有效选择，是工程师设计高效、紧凑型功率系统的关键元器件之一。

• 型号:FERD20H100STS
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE FERD 100V 20A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:FERD（场效应整流器二极管）
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):705 mV @ 20 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140 A @ 100 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• 工作温度 - 结:175°C（最大）
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FERD20H100STS是ST意法半导体生产的一款20A、100V场效应整流器二极管，采用TO-220AB封装。其核心优势在于极低的正向压降（典型值705mV @ 20A）与快速的恢复特性（≤500ns），这共同实现了高效率的功率转换与较低的开通损耗。

该器件在100V反向电压下具有极低的反向漏电流（140A），确保了出色的关断特性。这些参数使其成为要求高频率、高效率与高可靠性的整流应用的理想选择，尤其适用于开关电源、PFC电路及电机驱动等场景。