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FERD20S100SH

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE FERD 100V 20A TO251
原厂封装:封装:TO-251(IPAK)
优势价格,FERD20S100SH的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FERD20S100SH的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

FERD20S100SH是ST意法半导体推出的一款高性能场效应整流器二极管(FERD),采用先进的半导体工艺和结构设计,旨在为高效率功率转换应用提供优化的整流解决方案。该器件将肖特基二极管的低正向压降特性与快速恢复二极管的优异反向恢复性能相结合,其核心架构基于场效应整流原理,通过优化沟道和结结构,显著降低了传统PN结整流二极管在开关过程中产生的电荷存储效应,从而实现了更快的开关速度和更低的反向恢复损耗。

该整流二极管具备多项突出的功能特性。其最大反向重复电压(Vr)为100V,能够满足多种中低压功率场景的需求。平均正向整流电流(Io)高达20A,确保了其在高电流负载下的稳定工作能力。尤为关键的是,其在10A正向电流下的典型正向压降(Vf)仅为780mV,这一低导通压降特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。作为一款快速恢复器件,其恢复时间小于500ns(在Io > 200mA条件下),这使其在开关频率较高的应用中可以有效减少开关噪声和电磁干扰(EMI),并降低开关损耗。

在接口与参数方面,FERD20S100SH采用通孔安装方式,封装为TO-251-3(也称为I-PAK或短引线IPak),这种封装具有良好的散热性能和机械强度,便于在PCB板上进行安装和焊接。其反向漏电流在100V反向电压下典型值为100A,体现了良好的反向阻断特性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取该产品的相关技术资料和采购支持。

得益于其高电流能力、低正向压降和快速恢复特性,FERD20S100SH非常适合应用于对效率和开关性能有较高要求的领域。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)的次级侧整流、直流-直流(DC-DC)转换器、电机驱动电路中的续流二极管,以及不间断电源(UPS)和逆变器系统。其设计旨在替代传统快恢复二极管或部分肖特基二极管,在提升功率密度和系统可靠性的同时,优化整体的热管理和能效表现。

  • 型号:FERD20S100SH
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-251(IPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE FERD 100V 20A TO251
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 技术:FERD(场效应整流器二极管)
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):20A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):780 mV @ 10 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 100 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
  • 供应商器件封装:TO-251(IPAK)
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取FERD20S100SH的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

FERD20S100SH是ST意法半导体生产的一款100V、20A场效应整流器二极管。该器件采用FERD技术,融合了低正向导通压降与快速恢复特性,在10A电流下典型正向压降仅为780mV,有助于显著降低导通损耗,提升系统效率。

其快速恢复时间(≤500ns)有效减少了开关过程中的反向恢复损耗和噪声,适用于高频开关应用。器件采用TO-251-3(I-PAK)通孔封装,具有良好的功率处理能力和散热特性,主要面向开关电源、DC-DC转换器及电机驱动等需要高效率整流的功率电子系统。

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