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HSP061-8M16

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 3VWM 14VC 16UQFN
原厂封装:封装:16-UQFN(3.5x1.5)
优势价格,HSP061-8M16的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSP061-8M16的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

HSP061-8M16是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的HSP系列高性能瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,采用紧凑的16-UFDFN封装,专为保护高速数据接口免受静电放电(ESD)和电气快速瞬变(EFT)等瞬态过电压事件而设计。该器件集成了8个独立的单向保护通道,采用轨至轨的转向装置架构,能够为信号线提供从正电源轨到负电源轨的全面箝位保护,确保敏感电路在恶劣电气环境下的可靠性。

该器件的核心优势在于其卓越的低电容特性高浪涌保护能力的平衡。其在200MHz至3GHz的宽频范围内,典型电容值低至0.6pF,这一特性对于HDMI等高速差分信号接口至关重要,能最大程度地减少信号完整性的劣化,避免因保护器件引入的电容负载导致信号边沿退化或眼图闭合。同时,其反向断态电压为3V,最小击穿电压为6V,在承受标准8/20s波形、峰值脉冲电流达3A的浪涌冲击时,箝位电压最大值被有效限制在14V,为后端芯片提供了可靠的电压安全裕度。

在电气参数方面,HSP061-8M16支持-40°C至150°C的宽结温范围,适用于严苛的工业与汽车电子环境。其表面贴装型设计便于自动化生产。作为一款专为电源线路保护优化的器件,它能够有效抑制由热插拔、感应负载开关或雷击感应浪涌引起的过压瞬变。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新设计选型时需评估替代方案或库存可用性。

其典型应用场景高度聚焦于需要高速数据传输高可靠性保护的领域。最主要的应用是保护HDMI接口的TMDS时钟与数据通道,防止因ESD事件导致接口控制器损坏。此外,它也适用于其他需要多通道、低电容ESD保护的场合,如数字视频接口(DVI)、DisplayPort的辅助通道、高速串行总线以及各类便携式设备的对外数据端口,为这些系统的稳定运行构筑了坚固的第一道防线。

  • 型号:HSP061-8M16
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-UQFN(3.5x1.5)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3VWM 14VC 16UQFN
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:转向装置(轨至轨)
  • 单向通道:8
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):3V
  • 电压 - 击穿(最小值):6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):14V(典型值)
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):3A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:是
  • 应用:HDMI
  • 不同频率时电容:0.6pF @ 200MHz ~ 3GHz
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-UFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:16-UQFN(3.5x1.5)
  • 想获取HSP061-8M16的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

HSP061-8M16是ST意法半导体生产的一款8通道单向TVS二极管阵列,采用16-UFDFN封装,专为高速接口的ESD和浪涌保护设计。

该器件的核心价值在于其极低的线路电容(典型值0.6pF @ 200MHz~3GHz)与稳健的箝位性能(14V @ 3A 8/20s)的结合,使其能在不损害信号完整性的前提下,为HDMI等高速数据线路提供有效的瞬态过电压保护。其3V的反向断态电压和宽工作温度范围(-40°C ~ 150°C TJ)进一步确保了在复杂应用环境中的可靠性。

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