IRF640

IRF640是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件基于成熟的平面MOSFET技术，并属于其标志性的MESH OVERLAY产品系列，这一架构通过优化的单元几何设计，旨在实现导通电阻与栅极电荷之间的良好平衡，从而提升开关效率。其核心在于利用金属氧化物半导体场效应晶体管原理，通过栅极电压控制源极和漏极之间导电沟道的形成与关断，实现高效的电能控制与功率切换。

该MOSFET的关键电气特性使其在众多应用中表现出色。其漏源击穿电压（Vdss）高达200V，确保了在高压环境下的可靠阻断能力。在壳温（Tc）25°C条件下，连续漏极电流（Id）额定值为18A，支持较高的电流承载能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、9A漏极电流下最大值为180毫欧，较低的导通损耗有助于减少器件发热，提升系统整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大为72nC，结合1560pF的输入电容（Ciss），决定了其开关速度与驱动电路的设计要求，适合在中等频率的开关电源电路中工作。

在接口与参数方面，IRF640的栅极驱动电压（Vgs）标准为10V，以获得最小导通电阻，其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大为4V，确保了明确的开启点。器件允许的栅源电压最大范围为±20V，为驱动设计提供了安全裕度。其最大功耗为125W（基于壳温），结合高达150°C的结温（TJ）工作能力，体现了良好的热性能。标准的TO-220AB封装便于安装散热器，是工业级通孔应用的常见选择。需要指出的是，该器件目前已处于停产状态，在选型时需考虑供应链的替代方案，可通过正规的ST授权代理查询库存或获取技术建议。

凭借200V的耐压和18A的电流能力，IRF640非常适合应用于各类需要高效功率切换与控制的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制器中的H桥或半桥电路、直流-直流转换器、不间断电源（UPS）以及音频功率放大器等。其稳健的设计使其能够在工业自动化、能源管理和消费类电子产品的功率模块中发挥核心作用，尽管已停产，其设计参数和性能表现仍为后续器件选型提供了重要参考。

• 型号:IRF640
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1560 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取IRF640的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

IRF640是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，属于其MESH OVERLAY系列。该器件核心参数包括200V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），提供了稳健的功率处理能力。

其关键优势在于较低的导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大仅为180毫欧（@9A）。同时，72nC的栅极电荷（Qg）与1560pF的输入电容（Ciss）平衡了开关速度与驱动需求。这些特性使其非常适合用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等需要高效功率切换的场合。