IRF730

IRF730是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件基于成熟的平面MOSFET技术，并归属于ST的PowerMESH II产品系列，这一架构设计旨在优化单元密度与导通电阻之间的平衡。其核心采用垂直导电结构，源极金属化工艺与芯片布局经过特别优化，以实现较低的寄生电感和良好的热性能，这对于开关电源等高频应用至关重要。

该器件具备400V的漏源击穿电压(Vdss)与5.5A的连续漏极电流(Id)能力，为其在离线式电源中的初级侧开关应用提供了坚实的电压与电流余量。其导通电阻在10V驱动电压、3A电流条件下典型值仅为1欧姆，这一特性直接关系到导通损耗的大小，是实现高效电能转换的关键。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在24nC，结合530pF的输入电容，意味着所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。

在电气参数方面，IRF730的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，具备一定的噪声免疫能力，而栅源电压可承受±20V，提供了较宽的驱动安全区。其最大功率耗散能力在管壳温度为25°C时可达100W，结合TO-220AB封装良好的机械与散热特性，便于安装散热器以应对持续大功率工作。结温最高可至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。尽管该型号目前已处于停产状态，但在许多现有设备和维修市场中，通过正规的ST代理商渠道仍可获得可靠的货源。

凭借其电压与电流规格，IRF730非常适用于需要中等功率等级的开关模式电源(SMPS)初级侧，例如台式电脑的ATX电源、液晶显示器电源适配器以及各类离线式变换器。此外，它也可用于电机控制、电子镇流器、DC-DC转换器中的高压侧开关，以及作为继电器或接触器的固态替代方案。其稳健的设计使其成为工业控制、消费电子和照明系统中实现高效功率切换与控制的经典选择之一。

• 型号:IRF730
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:530 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取IRF730的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

IRF730是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其PowerMESH II技术系列。该器件核心规格包括400V的漏源电压(Vdss)和5.5A的连续漏极电流(Id)，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其关键电气特性表现为较低的导通电阻（典型1Ω @ 10V, 3A）与适中的栅极电荷（最大24nC @ 10V），这共同贡献了较低的导通损耗与可管理的开关损耗，有利于提升整体能效。器件设计支持高达100W的功率耗散，最高结温为150°C，确保了在要求严苛的功率应用中的可靠运行。