IRF830

IRF830是ST意法半导体推出的一款采用TO-220AB封装、N沟道增强型功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术，并融入了ST先进的PowerMESH工艺架构。这一架构通过优化的单元设计和低栅极电荷特性，在实现高击穿电压的同时，有效平衡了导通电阻与开关性能，为高压开关应用提供了一个可靠且高效的解决方案。

该器件具备500V的高漏源击穿电压(Vdss)，使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场合中常见的电压应力和尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流(Id)额定值为4.5A，最大功耗可达100W，展现了良好的电流处理与散热能力。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、2.7A电流条件下典型值为1.5欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体能效。栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可使其充分导通，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，并具备±20V的栅源电压耐受范围，提供了充足的噪声裕量。

在动态特性方面，IRF830的栅极总电荷(Qg)在10V条件下最大值为30nC，结合610pF的输入电容(Ciss)，意味着其所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。其通孔TO-220AB封装形式成熟可靠，便于安装散热器，确保器件在高达150°C结温(Tj)下稳定工作。对于需要可靠供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购咨询。

凭借其高压、中电流的处理能力以及优化的开关特性，这款MOSFET非常适用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、高压DC-DC转换器以及通用电机驱动和继电器替代等应用场景。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备和备件维修市场中，它依然是一款经典且被广泛验证过的功率开关元件。

• 型号:IRF830
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:610 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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IRF830是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用标准的TO-220AB通孔封装。该器件核心特性在于其500V的漏源电压(Vdss)和4.5A的连续漏极电流(Id)能力，适用于中高压、中功率的开关应用。

其技术亮点包括在10V驱动下仅1.5欧姆的导通电阻，以及最大30nC的低栅极电荷，这有助于降低导通损耗并提升开关速度。器件支持高达150°C的结温工作，最大功耗为100W，具备良好的热性能。这些参数使其成为开关电源、电机控制等设计中可靠的功率开关选择。