IRF840

IRF840是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220AB通孔封装，属于其PowerMESH II产品系列。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心架构旨在实现高电压下的可靠开关与功率处理能力。其内部结构经过优化，通过降低栅极电荷和导通电阻，有效提升了开关效率和功率密度，这对于需要快速切换和高能效的应用至关重要。

该器件具备500V的漏源击穿电压(Vdss)和8A的连续漏极电流(Id)能力，为其在高压环境下的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压、3.5A漏极电流条件下典型值为850毫欧，较低的导通损耗有助于减少发热，提升整体系统效率。栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，结合±20V的最大栅源电压，为驱动电路的设计提供了明确的电压窗口和良好的抗干扰裕度。此外，39nC的栅极总电荷(Qg)和约832pF的输入电容(Ciss)参数，表明其具有相对较快的开关速度，有助于降低开关损耗，尤其适用于中频开关应用。

在接口与热管理方面，IRF840采用标准的三引脚TO-220AB封装，便于安装和散热处理。其最大功率耗散能力在管壳温度为25°C时可达125W，结合高达150°C的最大结温(TJ)，赋予了其出色的热性能和鲁棒性。尽管该产品目前已处于停产状态，但在其生命周期内，它凭借稳定的性能和广泛的应用验证，成为了许多经典设计中的优选器件，用户仍可通过可靠的ST代理商渠道获取库存或寻找合适的替代方案。

凭借其高压、中电流的规格特性，IRF840的传统应用场景主要集中在离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、电机驱动控制器、电子镇流器以及不同断电源(UPS)系统中的功率转换环节。其设计平衡了电压耐受能力、导通损耗和开关性能，适合用于要求成本效益与可靠性并重的工业级和消费类电力电子设备中。

• 型号:IRF840
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:832 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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IRF840是ST意法半导体PowerMESH II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心规格包括500V的漏源电压(Vdss)和8A的连续漏极电流(Id)，适用于中高压功率开关应用。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))低至850毫欧（@3.5A），有助于降低导通损耗。其栅极电荷(Qg)为39nC，结合832pF的输入电容，确保了较快的开关速度。器件最大结温为150°C，热性能可靠，适合要求高鲁棒性的工业环境。