IRFP250

IRFP250是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。该器件隶属于PowerMESH II产品系列，这一架构通过优化的单元密度和先进的沟槽技术，在硅片层面实现了低导通电阻与高开关效率的平衡。其核心设计旨在处理高功率应用，通过降低栅极电荷和优化内部电容，有效减少了开关过程中的能量损耗，从而提升了系统的整体能效和热性能。

该器件具备200V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达33A的连续漏极电流能力，为高压大电流场景提供了坚实的保障。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、16A漏极电流条件下典型值仅为85毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在158nC（@10V），结合±20V的最大栅源电压容限，使得驱动电路的设计更为简便且鲁棒，有助于实现快速、干净的开关动作，减少开关损耗。

在接口与参数方面，IRFP250的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为2850pF，这些动态参数共同决定了其在特定频率下的开关性能边界。器件最大功耗为180W（Tc），最高结温（TJ）可达150°C，配合TO-247-3封装优良的散热特性，使其能够稳定工作在苛刻的热环境中。对于需要可靠货源和专业支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与技术咨询。

基于其性能参数，该MOSFET非常适用于对效率和可靠性有较高要求的工业级功率转换与管理领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制器中的H桥或三相逆变器功率级、不间断电源（UPS）的DC-AC逆变模块，以及各类音频放大器的功率输出级。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护、特定设计延续或库存充足的场景中，它依然是一个经过市场长期验证的高性价比功率开关解决方案。

• 型号:IRFP250
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:158 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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IRFP250是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其PowerMESH II技术系列。该器件核心参数包括200V的漏源电压（Vdss）和33A的连续漏极电流（Id），能够胜任中高功率级别的开关与控制任务。

其关键优势在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至85毫欧（@16A），这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，158nC的栅极电荷（Qg）和2850pF的输入电容（Ciss）有助于实现高效的开关速度，平衡了开关损耗与EMI性能。器件支持高达150°C的结温工作，最大功耗为180W，具备良好的热可靠性，适用于要求严苛的工业环境。