IRFP460

IRFP460是一款由ST意法半导体设计生产的高压N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-247-3通孔封装。该器件基于成熟的PowerMESH II技术平台构建，其核心架构旨在优化高压、大电流应用下的性能与可靠性。其内部采用先进的单元设计，有效平衡了导通电阻、栅极电荷和开关速度之间的关系，为功率转换系统提供了一个坚固且高效的开关解决方案。

该器件具备500V的漏源击穿电压(Vdss)和18.4A的连续漏极电流(Id)能力，使其能够从容应对严苛的高压环境。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压、9A漏极电流条件下典型值仅为270毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷(Qg)最大值控制在128nC，配合±30V的最大栅源电压容限，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，减少开关过程中的能量损失。

在接口与热参数方面，IRFP460采用标准的三引脚TO-247封装，便于安装和散热管理。其最大功率耗散能力高达220W（基于壳温），结合高达150°C的结温(TJ)工作范围，确保了器件在高温环境下的稳定运行。输入电容(Ciss)等动态参数经过优化，有助于抑制高频应用中的寄生振荡。尽管该型号目前已处于停产状态，但在许多现有设备和备件市场中，通过可靠的ST代理商渠道，工程师依然可以获得原装正品以支持其长期项目维护或特定设计需求。

IRFP460典型应用于需要高压开关和功率处理的场合。其高耐压和电流处理能力使其非常适合用于开关电源(SMPS)的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器中的主开关。此外，在电机驱动控制器、不同断电源(UPS)、工业焊接设备和音频功率放大器等对效率和可靠性要求较高的系统中，它也能作为核心功率开关元件发挥关键作用。

• 型号:IRFP460
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:128 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2980 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:220W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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IRFP460是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其PowerMESH II产品系列，采用TO-247-3封装。该器件核心特性包括500V的漏源电压(Vdss)和18.4A的连续漏极电流(Id)额定值，能够胜任高压大电流的开关任务。

其技术优势体现在较低的导通电阻（270mΩ @ 10V, 9A）和优化的栅极电荷（128nC @ 10V），这有助于降低导通损耗并提升开关效率。器件支持高达220W的功率耗散，工作结温可达150°C，确保了在严苛热环境下的稳定性和可靠性，适用于各类功率转换与电机驱动应用。