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ITA6V5B3

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 5VWM 12.1VC 20SO
原厂封装:封装:20-SO
优势价格,ITA6V5B3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ITA6V5B3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ITA6V5B3是ST意法半导体(STMicroelectronics)旗下ITA, TRANSIL系列的一款多通道瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列。该器件采用先进的硅基半导体工艺制造,其核心架构集成了9个独立的双向保护通道,共同集成于一个紧凑的20-SOIC封装内。这种多通道集成设计使其能够为数据线、控制线或电源线等多条信号通路提供同步的瞬态过压保护,有效简化了PCB布局并提升了系统的整体可靠性。

该器件的主要功能是吸收和泄放由静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)或雷击感应浪涌等事件引起的瞬时高能量脉冲。其工作原理基于齐纳击穿机制,当两端电压超过其反向断态电压(典型值5V)并达到最小击穿电压6.5V时,器件会迅速从高阻态转为低阻态,将过电压箝位在安全水平。在经受峰值脉冲电流为25A(8/20s波形)的冲击时,其最大箝位电压被严格控制在12.1V,从而为后端敏感的集成电路提供可靠的保护屏障,其峰值脉冲功率处理能力可达300W。

在电气参数方面,ITA6V5B3展现出针对高速信号线路保护的优化特性。其在1MHz频率下的典型电容值为1100pF,这一参数使其适用于中低速通信接口的保护,在提供有效箝位的同时,对信号完整性的影响在可接受范围内。器件采用表面贴装型(SMT)的20-SOIC封装,便于自动化生产。值得注意的是,该器件已处于停产状态,用户在为新设计选型时需考虑替代方案或库存采购,专业的ST一级代理能够提供准确的产品生命周期信息与可行的替代品建议。

凭借其多通道、紧凑封装和可靠的箝位性能,ITA6V5B3非常适用于需要多线路保护的通用型应用场景。典型应用包括但不限于工业控制设备的I/O端口、通信模块的接口、消费电子产品的数据端口(如USB、RS-232/485)以及汽车电子中的非核心控制单元。它为这些系统提供了一道坚固的防线,抵御来自外部环境的瞬态电压威胁,是提升产品电磁兼容性(EMC)和耐用性的关键组件之一。

  • 型号:ITA6V5B3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:20-SO
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5VWM 12.1VC 20SO
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:9
  • 电压 - 反向断态(典型值):5V
  • 电压 - 击穿(最小值):6.5V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):12.1V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):25A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:300W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:1100pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:20-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:20-SO
  • 想获取ITA6V5B3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ITA6V5B3是ST意法半导体推出的一款多通道TVS二极管阵列,属于TRANSIL产品系列。该器件采用20-SOIC封装,集成了9个双向保护通道,专为多线路系统的瞬态电压抑制设计。

其核心参数针对通用保护场景优化:反向断态电压典型值为5V,最小击穿电压6.5V,在承受25A(8/20s)的峰值脉冲电流时,能将电压箝位在最大值12.1V以内,峰值脉冲功率达300W。同时,其在1MHz下的电容为1100pF,平衡了保护性能与信号完整性,适用于各类接口的过压防护。

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