L6384

L6384是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高压、高速半桥栅极驱动器集成电路，采用经典的8引脚MiniDIP封装。该器件内部集成了两个独立的驱动通道，采用同步驱动配置，专门设计用于高效驱动半桥拓扑结构中的高、低侧功率开关管。其核心架构基于电平移位技术，能够承受高达600V的自举电压，确保了高压侧驱动的可靠隔离与稳定工作，同时集成了欠压锁定（UVLO）和互锁逻辑等保护功能，防止功率管在异常条件下发生直通损坏。

该驱动器的功能特点突出表现在其优异的动态性能与驱动能力上。它兼容驱动IGBT和N沟道MOSFET，输入采用反相逻辑，逻辑电平阈值（VIL/VIH）分别为1.5V和3.6V，具有良好的噪声抑制能力。其峰值输出电流能力强劲，拉电流（Source）可达650mA，灌电流（Sink）为400mA，配合典型值仅为50ns和30ns的快速上升与下降时间，能够显著降低开关损耗，提升系统效率，尤其适用于高频开关应用。其工作电压范围设计为14.6V至16.6V，典型值为15V，确保了栅极驱动电平的精确与稳定。

在接口与关键参数方面，L6384提供了简洁而高效的控制接口。其输入信号与输出驱动呈反相关系，简化了外部逻辑设计。器件具备宽泛的工作温度范围（-45°C至125°C结温），保证了在严苛工业环境下的鲁棒性。尽管该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在既有系统和备件市场中仍有一席之地，用户可通过授权的ST代理渠道获取库存或替代方案咨询。

基于其高压处理能力和快速开关特性，L6384典型应用于离线式开关电源（SMPS）、电机驱动、电子镇流器以及不同断电源（UPS）等领域的半桥或同步整流功率级中。它能够有效简化高压侧驱动的设计复杂度，提升功率转换系统的整体可靠性与功率密度，是早期中高功率密度电源和驱动解决方案中的关键组件之一。

• 型号:L6384
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-迷你型 DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-迷你型 DIP
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L6384是一款高压半桥栅极驱动器IC，采用8引脚MiniDIP通孔封装，专为驱动半桥拓扑中的IGBT和N沟道MOSFET而设计。其核心卖点在于高达600V的自举电压承受能力和优异的开关速度，典型上升/下降时间分别为50ns和30ns，配合650mA（拉）和400mA（灌）的峰值输出电流，能有效优化开关性能，降低损耗。

该器件工作电压范围为14.6V至16.6V，输入采用反相逻辑，具备1.5V（VIL）和3.6V（VIH）的逻辑阈值，增强了抗干扰性。其宽工作结温范围（-45°C至125°C）确保了在工业环境下的稳定运行。尽管目前已停产，它仍是早期中高功率开关电源和电机驱动等应用的经典驱动解决方案。