L6384ED013TR

意法半导体推出的L6384ED013TR是一款高性能的半桥栅极驱动器IC，采用紧凑的8引脚SO封装，专为高效、可靠的功率开关应用而设计。该器件内部集成了两个独立的驱动通道，分别用于控制高压侧和低压侧的功率开关管，其同步驱动架构确保了上下管精确的互锁与死区时间管理，有效防止了桥臂直通的风险，为半桥或同步整流拓扑提供了坚实的基础。

该驱动器具备出色的电气特性，其供电电压范围设计为14.6V至16.6V，确保了在复杂电源环境下的稳定工作。高达600V的自举电压能力使其能够轻松驱动高压侧N沟道MOSFET或IGBT，极大地简化了高压浮动电源的设计。其输出级提供了强大的驱动能力，峰值拉电流和灌电流分别达到650mA和400mA，结合典型值仅为50ns和30ns的快速上升/下降时间，能够显著降低开关损耗，提升系统整体效率，尤其适用于高频开关应用。

在接口与控制方面，L6384ED013TR采用反相逻辑输入，兼容标准的微控制器或数字信号处理器输出电平，其逻辑阈值（VIL=1.5V， VIH=3.6V）提供了良好的噪声容限。器件内置了欠压锁定（UVLO）保护功能，确保在电源电压不足时可靠关闭输出，保护功率器件。其宽泛的工作结温范围（-45°C 至 125°C）以及表面贴装形式，使其能够适应工业级和汽车级应用的严苛环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高集成度、强驱动能力和鲁棒的保护特性，L6384ED013TR非常适合应用于开关电源（SMPS）、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电子镇流器等场景。在这些应用中，它能够有效驱动功率MOSFET或IGBT，实现高效率的功率转换与精确的运动控制，是工程师构建高性能功率系统的优选驱动解决方案。

• 型号:L6384ED013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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L6384ED013TR是ST意法半导体推出的一款有源半桥栅极驱动器，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件专为驱动N沟道MOSFET和IGBT设计，提供两个同步驱动通道，支持高达600V的自举电压，并具备400mA灌入与650mA拉出的峰值输出电流能力，确保功率开关管的快速、可靠导通与关断。

其工作电压范围为14.6V至16.6V，逻辑输入兼容反相控制，阈值明确。快速的开关特性（典型上升/下降时间为50ns/30ns）有助于降低开关损耗，提升系统效率。结合-45°C至125°C的宽工作结温范围，使其成为工业电源、电机控制和功率逆变器等高压、高频应用的理想驱动核心。