L6387D

L6387D是ST意法半导体推出的一款高压、高速半桥栅极驱动器集成电路，采用紧凑的8引脚SOIC封装。该芯片专为驱动工作在高压环境下的N沟道功率MOSFET或IGBT而设计，其内部集成了两个独立的驱动通道，分别用于控制半桥拓扑结构中的高侧和低侧开关管。其架构的核心在于集成了自举二极管和先进的高压电平移位电路，这使得高侧驱动器能够在高达600V的浮动电压下稳定工作，同时通过一个简单的自举电容供电，极大地简化了高压侧驱动的电源设计，无需复杂且昂贵的隔离电源。

在功能实现上，该驱动器具备出色的动态性能，其典型上升和下降时间分别为50纳秒和30纳秒，确保了功率开关管的快速开通与关断，有助于降低开关损耗并提升系统效率。其输出级采用推挽结构，提供强大的峰值驱动能力，拉电流和灌电流分别可达650mA和400mA，能够有效驱动具有较大栅极电荷的功率器件，并抑制由米勒效应引起的误导通风险。输入逻辑采用反相设计，兼容标准的微控制器逻辑电平，其阈值电压（V_IL/V_IH）为1.5V和3.6V，具有良好的噪声容限。此外，芯片内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，为高侧和低侧通道提供独立的电源电压监控，确保在供电电压不足时强制关闭输出，保护功率器件安全。

从接口与电气参数来看，L6387D的供电电压最高为17V，工作结温范围宽达-45°C至125°C，使其能够适应严苛的工业环境。其表面贴装的封装形式便于自动化生产。尽管该器件目前已处于停产状态，但在存量市场或特定设计中，通过可靠的ST一级代理渠道，工程师仍可获得技术支持和稳定的货源。其参数组合高速开关、强驱动能力、高压耐受及宽温工作共同构成了其在功率转换应用中的核心价值。

基于上述特性，L6387D非常适用于需要高效、紧凑设计的离线式电源和电机驱动系统。典型应用场景包括开关电源（SMPS）中的半桥或双开关正激拓扑、电子镇流器、以及中小功率的交流电机和直流无刷电机（BLDC）的驱动控制器。在这些应用中，它能够可靠地驱动功率开关，实现高效的能量转换与精确的电机控制，是构建高性能功率级前端的关键组件。

• 型号:L6387D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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L6387D是ST意法半导体的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装。该器件集成了两个独立通道，可驱动N沟道MOSFET或IGBT，其高侧驱动部分采用自举技术，支持高达600V的浮动电压，极大简化了高压侧电源设计。

其核心优势在于高速开关性能与强大的驱动能力，典型上升/下降时间分别为50ns和30ns，峰值拉电流和灌电流达650mA/400mA，能有效驱动大栅极电荷器件并确保快速开关。芯片工作电压最高17V，逻辑输入兼容标准CMOS/TTL电平，并内置欠压锁定保护，工作温度范围覆盖-45°C至125°C，适用于严苛环境。