L6387ED

L6387ED是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能半桥栅极驱动器IC，采用紧凑的8引脚SOIC封装。该器件专为驱动N沟道功率MOSFET或IGBT而设计，其内部集成了两个独立的驱动通道，分别用于控制高压侧和低压侧开关管，构成了一个完整的半桥驱动核心。其架构集成了自举二极管和电平移位电路，使得高压侧驱动器能够在高达600V的浮动电压下稳定工作，同时仅需一个单路逻辑电源供电，极大地简化了外围电路设计，提升了系统的集成度与可靠性。

该芯片的功能特点突出体现在其强大的驱动能力和快速的开关性能上。其峰值输出电流能力达到拉电流650mA、灌电流400mA，能够有效降低功率开关管的开关损耗，并确保其在高速开关状态下的稳定驱动。典型值仅为50ns的上升时间和30ns的下降时间，显著减少了开关过渡过程，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。其输入级采用反相逻辑设计，兼容标准的微控制器或DSP PWM信号，逻辑电平阈值（VIL=1.5V， VIH=3.6V）确保了良好的噪声抑制能力。此外，器件内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，为高低压侧驱动通道提供独立的电源监控，防止功率管在电压不足时不完全导通而损坏。

在接口与参数方面，L6387ED的工作电压范围宽泛，驱动供电电压最高可达17V，为栅极驱动提供了充足的电压裕量。其宽广的工作结温范围（-45°C 至 125°C）使其能够适应严苛的工业环境。表面贴装型的8-SOIC封装不仅节省了PCB空间，也优化了热性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高集成度、高可靠性和优异的开关性能，L6387ED非常适合应用于各种中高功率的开关模式电源和电机驱动领域。典型应用场景包括工业电机驱动、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及高效AC-DC开关电源的功率因数校正（PFC）和半桥/全桥拓扑电路。它为设计工程师提供了一个高效、紧凑且鲁棒的解决方案，有助于缩短开发周期并提升终端产品的整体性能。

• 型号:L6387ED
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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L6387ED是ST意法半导体生产的一款有源半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，集成了两个独立通道，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计，可简化半桥拓扑的电路布局。

其核心参数体现了强大的驱动性能与可靠性：支持高达600V的自举电压和17V的驱动供电，峰值拉电流与灌电流能力分别为650mA和400mA，确保了功率开关的快速导通与关断。快速的开关特性（典型上升/下降时间为50ns/30ns）、宽广的工作温度范围（-45°C至125°C）以及兼容标准逻辑的输入，使其成为工业级电源和电机驱动应用的理想选择。