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L6388

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
原厂封装:封装:8-迷你型 DIP
优势价格,L6388的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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L6388的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

L6388是ST意法半导体推出的一款高压半桥栅极驱动器IC,采用经典的8引脚MiniDIP封装,专为驱动N沟道功率MOSFET或IGBT而设计。其内部集成了高压电平移位电路和自举二极管,能够高效、可靠地驱动构成半桥或全桥拓扑的高侧和低侧开关管。该器件采用独立式通道设计,为每个驱动通道提供了独立的控制输入,具备灵活的时序控制能力,其核心架构确保了在严苛的功率开关环境中信号的完整性与驱动的稳定性。

该驱动器具备出色的电气特性,其高压侧可承受高达600V的绝对最大电压,为离线式应用提供了充足的裕量。其供电电压最高可达17V,兼容常见的逻辑电平,输入阈值设计为反相逻辑,VIL和VIH分别为1.1V和1.8V,确保了与微控制器或数字信号处理器的良好接口兼容性。在驱动能力方面,L6388可提供高达650mA的拉电流和400mA的灌电流峰值输出,结合典型值仅为70ns(上升)和40ns(下降)的快速开关特性,能够有效降低功率器件的开关损耗,并抑制因开关速度过慢或驱动不足引起的热应力问题。

在接口与参数层面,该器件集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,防止功率管在栅极电压不足时不完全导通,从而避免过热损坏。其工作结温范围覆盖-40°C至125°C,适用于工业级宽温环境。通孔安装的8-DIP封装形式便于在原型设计或对空间要求不极端苛刻的场合进行焊接和测试。尽管该产品目前已处于停产状态,但在存量设备维护或特定设计方案中仍有其应用价值,用户可通过正规的ST一级代理渠道咨询库存或替代方案。

基于其高压半桥驱动、快速开关及稳健的保护特性,L6388典型应用于开关电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)电路、电机驱动控制器、电子镇流器以及不同断电源(UPS)系统中的逆变桥臂驱动。它能够简化高压侧驱动的设计复杂度,提升系统整体的可靠性与功率密度,是中等功率AC-DC或DC-AC能量转换系统中的关键驱动组件。

  • 型号:L6388
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-迷你型 DIP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:17V(最大)
  • 逻辑电压- VIL,VIH:1.1V,1.8V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA
  • 输入类型:反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
  • 上升/下降时间(典型值):70ns,40ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:8-迷你型 DIP
  • 想获取L6388的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

L6388是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器IC,采用8引脚MiniDIP通孔封装。该器件设计用于独立驱动两个N沟道MOSFET或IGBT,构成半桥或全桥拓扑,其高压侧可承受最高600V的电压,并集成了自举二极管,简化了高侧驱动的电源设计。

它提供强劲的驱动能力,峰值拉电流和灌电流分别达到650mA和400mA,配合70ns和40ns的典型快速上升/下降时间,能有效优化功率开关的瞬态性能,降低开关损耗。器件采用反相逻辑输入,兼容标准逻辑电平,并具备欠压锁定保护,工作温度范围覆盖-40°C至125°C,适用于要求高可靠性的工业电源与电机驱动应用。

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