L6390D

L6390D是ST意法半导体推出的一款高性能半桥栅极驱动器IC，采用紧凑的16-SOIC封装，专为高效、可靠的功率开关应用而设计。该器件集成了两个独立的通道，分别用于驱动高压侧和低压侧的功率开关管，其核心架构基于电平移位技术，能够有效隔离高压侧的逻辑控制信号与功率地，确保在高达600V的母线电压下稳定工作。内部集成的自举二极管简化了高压侧驱动的供电设计，而欠压锁定（UVLO）功能则为上下桥臂提供了独立的电源监控，防止功率管在电压不足时不完全导通，从而降低了损耗和热风险。

在功能特性上，该驱动器展现出优异的动态性能。其典型上升和下降时间分别为75纳秒和35纳秒，结合高达430mA拉电流和290mA灌电流的峰值驱动能力，能够快速、有力地开关IGBT或N沟道MOSFET，显著减少开关过渡过程中的损耗。其输入逻辑兼容性广泛，1.1V的低电平输入阈值（VIL）和1.9V的高电平输入阈值（VIH）使其能与3.3V或5V的微控制器直接接口，无需额外的电平转换电路。非反相的输入逻辑简化了系统控制时序设计。其宽范围的工作电源电压（12.5V至20V）和扩展的结温工作范围（-40°C至150°C）确保了其在苛刻的工业环境中的鲁棒性。

从接口与参数来看，L6390D提供了清晰简洁的引脚定义。除了标准的电源、地、输入和输出引脚外，其高压侧浮动供电区域通过自举引脚实现，极大简化了电路布局。其表面贴装型的封装形式适合自动化生产。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品正品性和供应链可靠性的重要途径。

基于其强大的驱动能力和高集成度，L6390D非常适合应用于电机驱动、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等场景。在这些应用中，它能够高效驱动半桥拓扑中的功率开关，实现精准的PWM控制，提升整个系统的能效和功率密度。其可靠的设计使其成为工业自动化、家电和新能源领域功率转换解决方案中的关键组件。

• 型号:L6390D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:16-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12.5V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:16-SO
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L6390D是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器IC，采用16-SOIC封装，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计。该器件集成了两个独立通道，支持高达600V的自举电压，并内置自举二极管，简化了高压侧驱动电源设计。

其核心优势在于出色的开关性能与驱动能力。器件提供430mA拉电流和290mA灌电流的峰值输出，结合仅75ns和35ns的典型上升/下降时间，可确保功率管快速开关，降低开关损耗。宽范围供电电压（12.5V-20V）与广泛的逻辑输入兼容性（VIL/VIH为1.1V/1.9V），使其能直接连接主流微控制器。此外，其工作结温范围覆盖-40°C至150°C，满足严苛的工业环境要求。