L6747C

L6747C是ST意法半导体推出的一款高性能半桥栅极驱动器IC，采用紧凑的8-VFDFN封装，专为驱动N沟道功率MOSFET而设计。该器件集成了两个独立的同步驱动器，构成一个完整的半桥驱动配置，能够高效管理高端和低端开关的时序与驱动，是构建同步整流、电机驱动和DC-DC变换器功率级的关键组件。

其核心架构基于非反相输入逻辑，简化了与控制器或处理器的接口设计。逻辑输入电压阈值（VIL为0.8V，VIH为2V）确保了与广泛逻辑电平的兼容性。驱动器内部集成了自举电路，允许高端驱动器在高达41V的电压下工作，从而支持在多种总线电压下驱动MOSFET。高达3.5A的峰值灌电流输出能力是其显著特性，能够快速对MOSFET栅极电容进行充放电，有效降低开关损耗并提升系统效率，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，L6747C采用5V至12V的单电源供电，工作温度范围覆盖0°C至125°C（结温），确保了在严苛工业环境下的稳定运行。其表面贴装型封装优化了PCB空间布局，同时提供了良好的热性能。尽管该器件目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理渠道，仍可获取库存或替代方案的技术支持。

该芯片典型应用于需要高效功率转换和精确电机控制的领域。例如，在服务器电源、通信设备的DC-DC转换器中，它可用于驱动同步Buck或半桥拓扑中的MOSFET。在工业自动化领域，它则是驱动无刷直流（BLDC）电机或步进电机三相逆变器中半桥臂的理想选择，其强大的驱动能力和可靠的保护特性有助于构建紧凑、高效且鲁棒的功率驱动解决方案。

• 型号:L6747C
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-VFDFPN（3x3）
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:5V ~ 12V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.5A，-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-VFDFPN（3x3）
• 想获取L6747C的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

L6747C是ST意法半导体的一款半桥栅极驱动器IC，采用8-VFDFN表面贴装封装。该器件集成了两个同步驱动器，专为驱动N沟道MOSFET设计，其非反相输入逻辑简化了接口，逻辑阈值兼容性强。

其核心优势在于高达3.5A的峰值灌电流驱动能力，可显著优化MOSFET的开关速度与效率。器件支持5V至12V宽范围供电，高端驱动通过自举电路可工作于最高41V电压下，工作结温范围达0°C至125°C，适用于对空间和可靠性要求较高的工业与通信电源应用。