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LDLN025PU32R

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC REG LINEAR 3.2V 250MA 4-DFN
原厂封装:封装:4-DFN(1x1)
优势价格,LDLN025PU32R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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LDLN025PU32R的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

LDLN025PU32R是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能、低功耗线性稳压器(LDO),隶属于其电源管理IC产品线。该器件采用先进的CMOS工艺和精密的电路设计,旨在为对噪声敏感、空间受限的便携式和电池供电应用提供稳定、洁净的电源轨。其核心架构围绕一个高增益误差放大器和一个低导通电阻的PMOS调整管构建,配合内部精密带隙基准电压源,确保了输出电压的高精度和低温度漂移特性。

该稳压器具备多项突出的功能特点。其固定输出3.2V电压,最大输出电流能力为250mA,能够满足大多数微控制器、传感器和低功耗无线模块的核心供电需求。一个关键优势是其极低的静态电流,典型值仅为25A,这显著延长了电池的使用寿命。同时,其低压差特性表现优异,在满载250mA电流下,压降最大值仅为0.25V,这意味着即使在输入电压降至3.45V时,仍能维持稳定的3.2V输出,有效拓宽了电池的有效工作电压范围。此外,器件集成了使能(EN)控制引脚,允许通过数字信号关断芯片,进一步将功耗降至接近零,实现了电源的智能管理。

在电气参数与接口方面,LDLN025PU32R的输入电压范围最高可达5.5V,兼容常见的5V或单节锂离子电池供电系统。其出色的电源抑制比(PSRR)在100Hz时高达80dB,在100kHz时仍能保持60dB,这意味着它能有效滤除来自前级电源(如开关稳压器或电池)的宽频带噪声,为后级精密模拟或射频电路提供“安静”的电源环境。全面的保护功能是其可靠性的基石,包括过流保护、过温关断、短路保护和内部软启动电路,这些机制共同保障了芯片自身以及负载在异常情况下的安全。该器件采用紧凑的4引脚DFN封装,占板面积小,热性能优良,适合高密度PCB布局,用户可通过正规的ST代理商获取包括卷带(TR)和剪切带(CT)在内的多种包装形式。

基于其高性能和紧凑设计,LDLN025PU32R非常适合一系列要求苛刻的应用场景。它是物联网(IoT)节点、可穿戴设备、健康监测仪等电池供电便携产品的理想选择,其低静态电流和低压差特性直接提升了终端设备的续航能力。同时,凭借其优异的PSRR,该芯片也常被用作开关电源(DC-DC)的后级滤波稳压器,为模拟前端(AFE)、高精度ADC/DAC、音频编解码器以及蓝牙、Wi-Fi等射频模块提供纯净的模拟/射频电源轨,确保信号链的完整性和通信质量。其宽广的工作温度范围(-40°C至125°C结温)也使其能够胜任工业自动化、汽车电子等环境严苛的领域。

  • 型号:LDLN025PU32R
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:4-DFN(1x1)
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 稳压器 - 线性
  • 描述:IC REG LINEAR 3.2V 250MA 4-DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 输出配置:正
  • 输出类型:固定
  • 稳压器数:1
  • 电压 - 输入(最大值):5.5V
  • 电压 - 输出(最小值/固定):3.2V
  • 电压 - 输出(最大值):-
  • 电压降(最大值):0.25V @ 250mA
  • 电流 - 输出:250mA
  • 电流 - 静态 (Iq):25 A
  • 电流 - 供电(最大值):425 A
  • PSRR:80dB ~ 60dB(100Hz ~ 100KHz)
  • 控制特性:使能
  • 保护功能:过流,超温,短路,软启动
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-XDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:4-DFN(1x1)
  • 想获取LDLN025PU32R的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

LDLN025PU32R是ST意法半导体生产的一款固定输出3.2V、250mA输出的线性稳压器(LDO)。该器件采用正输出配置,输入电压最高支持5.5V,在满负载电流下具有仅0.25V的低压差,并具备低至25A的静态电流,专为优化电池供电设备的能效而设计。

其技术参数体现了高集成度与高可靠性。器件提供了优异的80dB至60dB(100Hz至100kHz)电源抑制比(PSRR),能有效抑制电源噪声。内置使能控制功能及过流、超温、短路保护和软启动等全面保护机制。该芯片采用4-XDFN表面贴装封装,工作结温范围为-40°C至125°C,适用于对空间和性能均有要求的紧凑型电子系统。

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