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LFTVS18-1F3

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 12VWM 19VC 4FLIPCHIP
原厂封装:封装:4-覆晶(0.77x0.77)
优势价格,LFTVS18-1F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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LFTVS18-1F3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

LFTVS18-1F3是ST意法半导体推出的LFTVS系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的4-UFBGA(Flip-Chip BGA)封装,专为在紧凑空间内提供高效的静电放电(ESD)和电气过载(EOS)保护而设计。该器件基于齐纳二极管技术构建,其核心架构通过优化的半导体结和封装工艺,实现了在极低电容下的快速响应与高浪涌吸收能力,确保被保护信号线的信号完整性不受影响。

该器件具备12V的反向断态工作电压16V的最小击穿电压,其箝位性能尤为突出,在承受峰值脉冲电流时能将电压有效限制在19V以下。其峰值脉冲功率处理能力达到350W(8/20s波形),对应的峰值脉冲电流为1A,能够有效吸收来自外部环境的瞬态能量,防止后续精密电路受损。得益于其175pF @ 1MHz的低电容值,这款TVS二极管非常适合用于保护高速数据线路,如USB、HDMI或射频接口,避免因引入保护器件而导致信号衰减或失真。

在接口与参数方面,LFTVS18-1F3为单向保护器件,采用表面贴装型(SMT)的4-UFBGA封装,其超小尺寸特别适合高密度PCB布局。其通用型设计使其无需针对特定电源线路进行复杂配置,简化了电路设计。用户可以通过官方授权的ST代理获取完整的技术资料、样品及批量供货支持,确保产品设计的合规性与供应链的稳定性。

该芯片典型的应用场景涵盖了广泛的消费电子、通信设备和便携式装置。它常被部署在设备的外部连接器附近,用于保护敏感的IC免受由人体接触或连接器插拔引起的ESD冲击。此外,在需要高可靠性的工业控制模块、车载信息娱乐系统接口以及物联网(IoT)节点的通信模块中,其稳健的箝位特性和紧凑的封装都是关键的选择依据,为系统提供了符合行业标准的可靠性保障。

  • 型号:LFTVS18-1F3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:4-覆晶(0.77x0.77)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 12VWM 19VC 4FLIPCHIP
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):12V
  • 电压 - 击穿(最小值):16V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):19V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):5A
  • 功率 - 峰值脉冲:350W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:175pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-UFBGA,FCBGA
  • 供应商器件封装:4-覆晶(0.77x0.77)
  • 想获取LFTVS18-1F3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

LFTVS18-1F3是ST意法半导体LFTVS系列中的一款表面贴装TVS保护二极管,采用4-UFBGA (Flip-Chip)封装。其核心设计旨在为通用信号线路提供高效的瞬态电压抑制,关键参数包括12V反向工作电压、16V最小击穿电压以及19V的最大箝位电压。

该器件具备350W的峰值脉冲功率处理能力,同时保持了仅175pF的低电容特性,这使得它在抑制高压浪涌的同时,能最大限度地减少对高速信号完整性的影响。其紧凑的封装形式非常适合空间受限的现代电子设备,为接口提供可靠的ESD和浪涌保护。

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