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LFTVS7-1F3

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 5.5VWM 10V 4FLIPCHIP
原厂封装:封装:4-覆晶(0.77x0.77)
优势价格,LFTVS7-1F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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LFTVS7-1F3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

LFTVS7-1F3是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的TRANSIL系列瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的4-UFBGA(Flip-Chip BGA)封装,专为高密度、小尺寸的现代电子设备提供可靠的静电放电(ESD)和瞬态过压保护。该器件基于齐纳二极管(Zener)的核心保护原理构建,其单向通道设计使其能够对正向的瞬态过压事件进行快速响应和箝位。

该芯片的核心保护特性体现在其精确的电压阈值上。其反向断态电压(VRWM)典型值为5.5V,这意味着在正常工作电压低于此值时,器件呈现高阻态,对电路影响极小。当瞬态电压超过其最小击穿电压(VBR)7V时,器件会迅速雪崩击穿,进入低阻抗导通状态,从而将威胁性电压箝位在最大值10V以下,有效保护后端精密电路。其峰值脉冲电流(IPP)处理能力在8/20s波形下可达1A,对应的峰值脉冲功率(PPP)为350W,展现了其应对中等能量瞬态脉冲的稳健性。

在接口与电气参数方面,LFTVS7-1F3采用表面贴装型(SMT)的4引脚Flip-Chip BGA封装,极大地节省了PCB空间,适用于超薄移动设备。其典型结电容在1MHz频率下为320pF,这一特性使其在保护高速数据线(如USB、HDMI)时,需要仔细评估其对信号完整性的潜在影响,通常更适用于对信号速率要求相对宽松的通用I/O端口或电源线路的辅助保护。对于需要采购此型号的工程师,可以通过官方授权的ST中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。

鉴于其通用型应用定位和已停产的状态,LFTVS7-1F3主要适用于那些对空间有苛刻要求、且需要为5V左右工作电压的电路节点提供经济有效保护的存量或维护期项目。典型应用场景包括便携式消费电子产品的I/O接口保护、低压微控制器单元的电源轨保护,以及其他需要应对ESD和电气快速瞬变(EFT)等干扰的通用电子模块。设计人员在使用时需注意其无电源线路(如AC-DC)直接保护能力的标注,并为其设计合理的泄放路径。

  • 型号:LFTVS7-1F3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:4-覆晶(0.77x0.77)
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5.5VWM 10V 4FLIPCHIP
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):5.5V
  • 电压 - 击穿(最小值):7V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):10V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:350W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:320pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:4-UFBGA,FCBGA
  • 供应商器件封装:4-覆晶(0.77x0.77)
  • 想获取LFTVS7-1F3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

LFTVS7-1F3是ST意法半导体TRANSIL系列中的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用紧凑的4-UFBGA Flip-Chip封装。该器件设计用于为工作电压在5.5V以下的电路提供静电放电(ESD)及瞬态过压保护,其关键参数包括7V的最小击穿电压和10V的最大箝位电压。

该TVS二极管能够承受8/20s波形下1A的峰值脉冲电流,峰值脉冲功率达350W,适用于通用型I/O端口和低压电源线的保护需求。其320pF @ 1MHz的结电容特性,提示在应用于高速信号线路时需进行信号完整性评估。该器件为表面贴装型,适合高密度PCB布局设计。

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