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LNBTVS4-220

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 20VWM 35VC DO201
原厂封装:封装:DO-201
优势价格,LNBTVS4-220的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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LNBTVS4-220的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

LNBTVS4-220是ST意法半导体LNBTVS系列中的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用经典的DO-201AA(DO-27)轴向封装。其核心基于优化的齐纳二极管雪崩击穿原理构建,旨在为敏感的电子线路提供高效、可靠的过电压保护。器件内部集成了高性能的硅结,能够在纳秒级时间内响应瞬态电压尖峰,并通过雪崩效应将过高的电压能量迅速分流至地,从而将受保护线路上的电压箝位在一个安全的预设水平。

该器件具备出色的浪涌吸收能力,其峰值脉冲功率高达1800W,在标准的8/20s浪涌测试波形下可承受高达331A的峰值脉冲电流。其关键保护参数经过精心设计,反向断态电压为20V,确保在电路正常工作时呈现高阻抗状态,对系统影响极小;而最小击穿电压为22V,当瞬态电压超过此阈值时,器件迅速动作。尤为重要的是,在承受大浪涌电流时,其最大箝位电压被有效限制在35V,这为后端被保护IC提供了一个明确的安全电压上限,是选择保护器件时的核心考量指标之一。

在接口与参数方面,LNBTVS4-220为单向器件,适用于直流或具有明确极性之信号的保护。其通孔安装方式(THT)提供了坚固的机械连接和优异的散热路径,适合在需要高可靠性的场合使用。器件拥有宽广的工作结温范围,从-55°C到150°C,确保了其在严苛工业环境或汽车电子应用中的稳定性。尽管该型号目前已处于停产状态,但在许多现有设备和备件供应链中仍有需求,工程师在选型时可咨询专业的ST代理商以获取库存、替代方案或技术支持。

得益于其通用型设计和高浪涌处理能力,LNBTVS4-220广泛应用于需要抑制感应开关浪涌、静电放电(ESD)及雷击感应浪涌的场合。典型应用包括交流/直流电源输入端口、继电器和电机驱动等感性负载的开关保护、通信接口以及各类工业控制设备的I/O线路保护。其35V的箝位电压使其非常适合用于保护工作电压在12V或24V系统中的敏感元器件,如微控制器、传感器和通信模块的电源引脚,是构建稳健电路系统的重要防线。

  • 型号:LNBTVS4-220
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-201
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 20VWM 35VC DO201
  • 包装:带盒(TB)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):20V
  • 电压 - 击穿(最小值):22V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):35V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):331A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:1800W(1.8kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
  • 供应商器件封装:DO-201
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LNBTVS4-220是ST意法半导体推出的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于LNBTVS系列,采用DO-201AA轴向封装。其核心功能是在纳秒级时间内响应并抑制电压瞬变,为后级电路提供可靠的过压保护。

该器件具备1800W的峰值脉冲功率和331A(8/20s)的浪涌电流承受能力,性能强劲。其20V的反向断态电压与22V的最小击穿电压定义了保护启动阈值,而关键参数在于,在承受大浪涌时能将电压严格箝位在最大值35V,有效保护工作电压较低的敏感芯片。其工作温度范围覆盖-55°C至150°C,适用于要求苛刻的工业环境。

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