M24128-DFMN6TP

M24128-DFMN6TP是ST意法半导体推出的一款基于成熟EEPROM技术的高性能非易失性存储器芯片。该器件采用128Kb（16K x 8）的存储阵列结构，内部集成了高可靠性的电荷泵和精密电压调节电路，确保在宽电压范围内数据的稳定读写。其核心设计注重低功耗与高耐久性，通过优化的单元结构和智能写算法，实现了出色的数据保持能力与擦写周期，为系统关键参数的存储提供了坚实的硬件基础。

该芯片的功能特性围绕其高效的IC串行接口展开，支持标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）以及高速模式（1MHz）操作，为微控制器提供了灵活、节省引脚资源的通信方式。其宽电压供电范围1.7V至5.5V使其能够无缝兼容从1.8V、3.3V到5V的各种主流逻辑系统，极大提升了设计的通用性。此外，芯片内置的写保护引脚和软件写保护功能，配合仅5ms的页写入周期时间，在保障数据安全的同时也优化了系统的实时响应性能。

在接口与关键参数方面，M24128-DFMN6TP表现出高度的稳定性和环境适应性。其访问时间典型值为450ns，支持页写操作以提升批量数据存储效率。器件工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准，采用8引脚SOIC表面贴装封装，适合自动化贴装生产。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取正品器件、完整数据手册以及设计参考。

凭借上述特性，M24128-DFMN6TP非常适合应用于需要可靠存储配置参数、校准数据或事件日志的各类电子系统。典型场景包括工业控制模块、智能电表、汽车电子子系统、医疗设备、网络通信设备以及消费类电子产品。其小尺寸封装和低功耗特性也使其成为空间受限的便携式设备或电池供电物联网节点的理想存储解决方案。

• 型号:M24128-DFMN6TP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:128Kb
• 存储器组织:16K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24128-DFMN6TP是ST意法半导体生产的一款128Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口，最高时钟频率可达1MHz，并提供1.7V至5.5V的宽电压工作范围，确保了其在多种供电环境下的兼容性与灵活性。

其核心优势在于非易失性数据存储特性，拥有快速的页写入周期（5ms）和450ns的访问时间。器件采用8-SOIC表面贴装封装，支持-40°C至85°C的工业级工作温度，适用于对可靠性和环境适应性有较高要求的各类嵌入式系统。