M24128-DRMN8TP/K

作为一款面向严苛环境应用的非易失性存储器解决方案，M24128-DRMN8TP/K基于成熟的EEPROM技术构建，其核心架构采用128Kbit（16K x 8）的存储阵列，并通过优化的内部电荷泵和写控制逻辑确保数据操作的可靠性。该芯片内部集成了IC协议控制器，能够高效管理从设备地址识别到数据传输的完整流程，其设计充分考虑了在宽电压和宽温度范围内的稳定性，为嵌入式系统提供了持久、可信的数据存储基础。

该器件的一个显著功能特点是其宽电压工作范围（1.8V至5.5V），这使得它能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种供电环境，极大提升了设计的灵活性。其时钟频率高达1MHz，配合快速的访问时间（典型值450ns），能够满足对数据传输速率有较高要求的应用。在数据写入方面，芯片支持字节写和页写操作，典型的页写周期时间为4ms，并内置了写保护引脚和软件写保护功能，有效防止意外数据篡改。其工作温度范围覆盖-40°C至105°C，并且符合AEC-Q100标准，直接指向了汽车电子及其他高可靠性领域的应用需求。

在接口与关键参数层面，M24128-DRMN8TP/K严格遵循标准的IC两线串行接口，支持高达400kHz和1MHz两种快速模式，主设备可以通过该接口轻松实现读写操作。其供电电流在待机模式下极低，有助于降低系统整体功耗。该器件提供表面贴装的8引脚SOIC封装，便于在紧凑的PCB空间内进行布局。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高可靠性、宽温宽压特性以及符合车规的标准，M24128-DRMN8TP/K非常适合于需要持久存储配置参数、校准数据或事件日志的应用场景。典型应用包括汽车电子中的车身控制模块、仪表盘、传感器数据记录，以及工业控制、计量设备、通信模块和消费类电子产品。其非易失性确保了在系统断电后关键信息不丢失，是构建稳健嵌入式系统不可或缺的存储组件。

• 型号:M24128-DRMN8TP/K
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:128Kb
• 存储器组织:16K x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:1 MHz
• 写周期时间 - 字，页:4ms
• 访问时间:450 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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M24128-DRMN8TP/K是ST意法半导体推出的一款128Kbit容量EEPROM存储器，采用IC串行接口，最高时钟频率可达1MHz。该器件以其1.8V至5.5V的宽电压供电范围和-40°C至105°C的扩展工作温度为核心优势，确保了在多变电气环境与严苛温度条件下的稳定数据存储与访问。

其存储结构为16K x 8位，支持快速的页写入操作，典型写周期时间为4ms。该芯片符合AEC-Q100标准，属于汽车级产品系列，采用8-SOIC表面贴装封装，并提供卷带或剪切带包装选项，专为要求高可靠性与长寿命的汽车电子及工业应用而设计。