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M24256-BRDW6P的图片

M24256-BRDW6P

ST图标
存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
原厂封装:产品封装:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
优势价格,M24256-BRDW6P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24256-BRDW6P的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24256-BRDW6P是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于成熟EEPROM技术的非易失性存储器芯片。其核心架构采用经典的浮栅晶体管单元设计,通过IC串行接口与主控制器通信,内部逻辑将32K x 8位的存储阵列、地址寄存器、控制逻辑和高电压生成电路高效集成。这种设计确保了数据的可靠存储与检索,同时维持了极低的静态功耗,使其成为需要持久化保存配置参数、用户数据或事件日志的嵌入式系统的理想选择。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压供电范围与高速操作上。1.8V至5.5V的单电源供电使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的广泛平台,极大地提升了设计的灵活性。其IC接口支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)以及高达1MHz的快速模式增强版本,为数据传输提供了高效的通道。在数据写入方面,芯片支持字节写入和页写入(最高64字节)两种模式,典型的字或页写入周期时间为5ms,而读取访问时间仅为450ns,实现了快速的系统响应。

在接口与关键参数层面,M24256-BRDW6P提供了一个简洁的两线制IC接口(串行时钟SCL和串行数据SDA),通过可配置的器件地址引脚(A0, A1, A2),允许在同一总线上挂接多达8个同型号器件,方便系统扩展。其256Kb(32KB)的存储容量足以满足大多数中小规模的非易失数据存储需求。芯片的可靠性指标严格,数据保存期限典型值超过40年,每个存储单元可承受至少400万次的写操作循环。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准,确保了在苛刻环境下的稳定运行。该器件采用8引脚TSSOP表面贴装封装,适合空间受限的紧凑型PCB设计。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购。

基于上述特性,M24256-BRDW6P广泛应用于各类电子设备中。典型应用场景包括消费电子产品(如智能电视、机顶盒、家电)中的系统配置存储,工业控制与自动化设备中的参数设置与校准数据保存,汽车电子系统中的传感器数据记录与事件存储,以及医疗设备、通信模块和智能电表等对数据可靠性要求严苛的领域。其高兼容性、高可靠性和易于使用的接口,使其成为工程师在设计中实现高效、经济非易失存储的经典解决方案。

  • 制造商产品型号:M24256-BRDW6P
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
  • 产品系列:存储器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:256Kb(32K x 8)
  • 存储器接口:IC
  • 时钟频率:1MHz
  • 写周期时间-字,页:5ms
  • 访问时间:450ns
  • 电压-供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 想获取M24256-BRDW6P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24256-BRDW6P是ST意法半导体生产的一款256Kbit串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,时钟频率最高可达1MHz,支持快速的数据读写操作。其核心优势在于1.8V至5.5V的宽电压供电范围,能够适应多种电源环境,并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围,保证了在恶劣条件下的稳定性和可靠性。

该芯片提供32K x 8位的存储结构,支持字节和页写入模式,典型页写入周期为5ms。其非易失特性确保掉电后数据不丢失,且每个存储单元可承受超过400万次擦写循环。采用8-TSSOP表面贴装封装,兼具高密度存储与紧凑的板级空间占用,非常适合需要保存配置参数、校准数据或用户信息的嵌入式系统应用。

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