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M24256-BWMW6TG

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SO
原厂封装:封装:8-SO
优势价格,M24256-BWMW6TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24256-BWMW6TG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24256-BWMW6TG是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于成熟EEPROM技术的非易失性存储器芯片。该器件采用高可靠性的浮栅技术核心架构,确保数据在断电情况下能够长期稳定保存。其内部组织为32K x 8位的结构,总容量达到256Kb,为系统提供了充足的非易失性数据存储空间。芯片内部集成了地址寄存器、控制逻辑以及高压生成电路,使得在单一电源电压下即可完成数据的写入与擦除操作,简化了外围电路设计。

该芯片通过标准的IC两线串行接口进行通信,最高时钟频率可达1MHz,实现了高速的数据传输。其工作电压范围宽达2.5V至5.5V,能够兼容多种逻辑电平,并支持在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行,表现出优异的环境适应性。页写入模式是其主要功能特点之一,允许在一个写周期内连续写入多达64字节的数据,这显著提高了多字节数据存储的效率,减少了整体写入时间。同时,芯片内置的写保护功能可通过硬件引脚控制,有效防止数据被意外篡改。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关技术支持。

在电气参数方面,该器件的字/页写入周期典型值为5ms,读取访问时间为450ns,在性能与功耗之间取得了良好平衡。其采用8引脚SOIC封装,支持表面贴装工艺,便于集成到高密度的PCB设计中。尽管该产品目前已处于停产状态,但其经过市场长期验证的稳定性和可靠性,使其在诸多现有系统和备件供应中仍具有重要价值。

凭借其非易失性、接口简单、功耗低及可靠性高等特性,M24256-BWMW6TG非常适合应用于需要存储配置参数、用户设定、校准数据或事件日志的各类电子系统。典型应用场景包括工业控制模块、智能电表、汽车电子控制单元(ECU)、医疗设备、通信模块以及消费类电子产品等,为这些设备提供了关键的数据存储解决方案。

  • 型号:M24256-BWMW6TG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.209,5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 想获取M24256-BWMW6TG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24256-BWMW6TG是ST意法半导体生产的一款256Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口,通信速率高达1MHz,并支持宽电压(2.5V-5.5V)供电与工业级温度范围(-40°C至85°C)工作,具备出色的系统兼容性与环境鲁棒性。

其核心优势在于高效的页写入功能(最大64字节页)和仅5ms的写周期时间,能显著提升数据存储效率。采用8-SOIC表面贴装封装,易于集成,为各类电子系统提供可靠的非易失性数据存储方案。

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