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M24256-DFDW6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24256-DFDW6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24256-DFDW6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24256-DFDW6TP是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于成熟EEPROM技术的非易失性存储器芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,其核心存储单元阵列组织为32K x 8位结构,总计提供256Kbit的存储容量。其内部集成了完整的地址解码器、数据缓冲器以及高可靠性的电荷泵电路,后者确保了在宽电压范围内稳定的擦写操作。芯片内置的写控制逻辑和状态寄存器,配合智能的时序管理,有效简化了外部主控器的管理负担,并提升了数据操作的可靠性。

该芯片支持标准的IC两线串行接口,最高时钟频率可达400kHz,实现了高速的数据传输。其工作电压范围极宽,从1.7V延伸至5.5V,这使得它能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的各类应用平台。450ns的快速访问时间5ms的典型字节/页写入周期,在保证数据非易失性的同时,提供了令人满意的读写性能。此外,器件支持页写模式,允许在一次操作中连续写入多达64字节的数据,显著提升了多字节数据存储的效率。其内置的写保护功能可通过硬件引脚或软件指令灵活配置,为关键数据提供了额外的安全屏障。

在电气与物理特性方面,M24256-DFDW6TP展现了出色的环境适应性。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,确保在苛刻环境下稳定运行。芯片采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装,非常适合高密度PCB板设计。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理获取产品、数据手册以及设计资源。其卷带(TR)和剪切带(CT)的包装形式也完全适配自动化贴片生产流程。

凭借其高可靠性、宽电压兼容性及紧凑的封装,这款EEPROM芯片广泛应用于需要参数存储、配置信息保存或事件日志记录的场景。典型应用包括工业控制系统中的参数备份、智能电表的数据存储、汽车电子中的模块配置、医疗设备的校准数据存储,以及各类消费电子产品如电视、机顶盒和物联网传感器节点。其非易失特性确保在系统断电后数据依然完好,是构建稳健嵌入式系统不可或缺的组成部分。

  • 型号:M24256-DFDW6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:400 kHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M24256-DFDW6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24256-DFDW6TP是ST意法半导体生产的一款256Kbit串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,时钟频率最高400kHz,并提供1.7V至5.5V的宽电压供电范围,具备出色的系统兼容性。

其核心规格为32K x 8位的存储结构,访问时间为450ns,字节或页写入周期典型值为5ms。芯片工作温度范围为-40°C至85°C,采用8-TSSOP表面贴装封装,这些特性共同构成了其在工业控制、汽车电子及消费类产品中实现可靠非易失数据存储的技术基础。

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