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M24256-DRDW8TP/K的图片

M24256-DRDW8TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24256-DRDW8TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24256-DRDW8TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24256-DRDW8TP/K是一款由ST意法半导体推出的256Kb串行EEPROM存储器芯片,采用先进的CMOS工艺技术制造,其核心架构基于一个高度可靠的32K x 8位非易失性存储阵列。该器件通过内部集成的升压泵和精密电压调节电路,实现了在单电源电压下对存储单元的高效编程与擦除操作,确保了数据写入的稳定性和耐久性。其设计严格遵循汽车级AEC-Q100标准,从晶圆制造到最终封装均经过严苛的可靠性验证,以满足汽车电子等恶劣环境下的长期稳定运行需求。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围和高速接口性能上。它支持1.8V至5.5V的宽电压供电,使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种平台,极大地提升了设计的灵活性。其采用标准的IC(Inter-Integrated Circuit)两线制串行接口,最高时钟频率可达1MHz,支持快速模式(Fast-mode)和标准模式,确保了与主控器之间高效、简洁的数据通信。芯片内部集成了写保护功能和可编程的写周期定时器,有效防止了误写操作,并保证了每次写入操作在规定的5ms时间内可靠完成,其典型访问时间仅为450ns。

在接口与关键参数方面,M24256-DRDW8TP/K提供了高达1,000,000次的擦写周期和超过40年的数据保存期限,展现了卓越的数据保持能力。其工作温度范围覆盖-40°C至105°C,完全满足汽车前装及工业级应用对温度适应性的严苛要求。芯片采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装,支持卷带(TR)和剪切带(CT)包装,适用于自动化贴片生产线。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品,确保原装正品和完整的应用支持。

凭借其高可靠性、宽温操作和简洁的接口设计,该芯片非常适合应用于需要频繁更新并长期保存关键参数的场景。典型的应用领域包括汽车电子中的车身控制模块(BCM)、仪表盘、传感器数据记录,以及工业自动化中的设备配置存储、消费电子中的用户设置保存和医疗设备中的校准参数存储等。其汽车级品质使其成为对安全性、耐久性和环境适应性有极高要求的嵌入式系统的理想存储解决方案。

  • 型号:M24256-DRDW8TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:256Kb
  • 存储器组织:32K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
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M24256-DRDW8TP/K是ST意法半导体推出的一款256Kb(32K x 8)串行EEPROM存储器,采用IC接口,时钟频率最高1MHz。该器件基于非易失性存储技术,提供1,000,000次擦写周期和超过40年的数据保持能力,确保数据的长期可靠存储。

其核心优势在于1.8V至5.5V的宽电压工作范围-40°C至105°C的扩展工业级温度范围,并符合AEC-Q100汽车级标准,适用于严苛环境。芯片采用8-TSSOP小型封装,支持表面贴装,写周期时间为5ms,访问时间450ns,在汽车电子、工业控制及消费类应用中为系统参数、配置数据提供高效、稳定的存储解决方案。

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