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M24512-DRDW6TP

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24512-DRDW6TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24512-DRDW6TP的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24512-DRDW6TP 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款基于成熟EEPROM技术的非易失性存储器芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,其核心架构围绕一个组织为64K x 8位(总计512Kb)的存储阵列构建。内部集成了高精度电压生成与调节电路,确保在宽电压范围内数据的稳定读写,同时其设计优化了单元耐久性和数据保持能力,为系统提供可靠的数据存储基础。

该芯片的功能特点突出体现在其兼容标准IC总线接口上,最高时钟频率可达1MHz,支持快速数据传输。其工作电压范围覆盖1.8V至5.5V,使其能够无缝适配从低功耗微控制器到传统5V系统的各类应用平台,极大地提升了设计灵活性。芯片支持字节写和页写操作,页写模式下可连续写入多达128字节,有效提升了批量数据存储的效率,典型的字或页写入周期时间为5ms。此外,其访问时间仅为500ns,配合IC接口,能够满足多数实时性要求不苛刻但对数据可靠性有高需求的应用。

在接口与关键参数方面,M24512-DRDW6TP通过两线制IC接口(串行时钟线SCL和串行数据线SDA)与主机通信,极大节省了微控制器的I/O资源。其宽泛的工作温度范围(-40°C至85°C)和宽电压供电能力,使其能够适应工业级和消费类电子产品中常见的严苛环境。器件采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装,适合高密度PCB布局。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ST中国代理获取相关服务与资源。

基于其可靠的非易失存储特性、简单的两线接口和宽电压适应性,M24512-DRDW6TP非常适合应用于需要参数配置、数据记录或状态保存的领域。典型应用场景包括工业控制系统的参数存储、智能电表的数据记录、医疗设备的用户设置保存、消费电子产品(如电视、机顶盒)的配置信息存储,以及各类物联网终端设备的固件或关键数据备份。其设计平衡了性能、可靠性与成本,是许多嵌入式系统中数据存储部分的经典选择。

  • 型号:M24512-DRDW6TP
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:512Kb
  • 存储器组织:64K x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:500 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
  • 想获取M24512-DRDW6TP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24512-DRDW6TP 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款512Kb容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC两线接口,最高通信频率为1MHz,支持高效的字节与页编程模式,其宽电压工作范围(1.8V至5.5V)使其具备出色的系统兼容性。

芯片提供64K x 8位的存储组织方式,访问时间为500ns,字或页写入周期典型值为5ms。其工业级工作温度范围(-40°C至85°C)与8-TSSOP紧凑封装,共同满足了高可靠性嵌入式应用对非易失性数据存储的关键需求,适用于参数保存、配置存储及数据记录等多种场景。

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