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M24C01-WMN6TP/S的图片

M24C01-WMN6TP/S

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,M24C01-WMN6TP/S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C01-WMN6TP/S的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C01-WMN6TP/S是ST意法半导体推出的一款采用IC串行接口的1Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术制造,其核心存储单元为128 x 8位的阵列结构,通过内部地址寄存器和控制逻辑实现数据的可靠存取。芯片内部集成了高压发生器,使得在单一的低电压供电条件下即可完成擦写操作,无需外部提供编程电压,这极大地简化了系统电源设计。

该芯片的功能设计充分考虑了嵌入式系统的需求。其宽电压工作范围(2.5V至5.5V)使其能够兼容从3.3V到5V的各种主流逻辑电平,提升了设计的灵活性。支持标准模式(100kHz)和快速模式(400kHz)的IC总线协议,确保了与众多微控制器和外设的兼容性。在数据保护方面,芯片提供了可编程的写保护功能,通过对特定地址的写操作,可以实现对整个存储阵列或部分区域的硬件写保护,防止关键数据被意外篡改。其页写入模式允许一次性连续写入最多16字节的数据,配合5ms的典型页写入周期,有效提升了多字节数据存储的效率。

在接口与电气参数上,M24C01-WMN6TP/S展现出稳定的性能。900ns的访问时间保证了主控制器能够快速读取数据。其典型待机电流和工作电流均处于极低水平,非常适合电池供电或对功耗敏感的应用。器件采用标准的8引脚SOIC封装,符合表面贴装工艺要求,便于自动化生产。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠技术支持和稳定供货渠道的开发者,可以咨询专业的ST中国代理以获取详细的产品资料和设计支持。

基于其非易失性、小容量、低功耗和标准接口的特点,该芯片广泛应用于需要存储少量配置参数、校准数据或运行状态信息的场景。典型应用包括智能电表、家用电器(如空调、洗衣机)、工业传感器模块、医疗手持设备、消费类电子产品以及汽车电子中的车身控制模块等。在这些系统中,它常被用于保存设备序列号、用户设置、生产校准值或最后一次操作状态,确保设备在断电重启后能迅速恢复到预设的工作模式。

  • 型号:M24C01-WMN6TP/S
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:1Kb
  • 存储器组织:128 x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:400 kHz
  • 写周期时间 - 字,页:5ms
  • 访问时间:900 ns
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取M24C01-WMN6TP/S的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C01-WMN6TP/S是STMicroelectronics生产的一款1Kb(128 x 8)串行EEPROM存储器。该器件采用IC接口,支持高达400kHz的时钟频率,并具备2.5V至5.5V的宽电压供电范围,兼容性强。

其核心特性包括5ms的快速页写入周期、900ns的数据访问时间以及-40°C至85°C的工业级工作温度范围。器件采用8-SOIC表面贴装封装,提供卷带或剪切带包装选项,适用于对空间和可靠性有要求的嵌入式系统设计。

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