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M24C02-DRDW3TP/K的图片

M24C02-DRDW3TP/K

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集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
原厂封装:封装:8-TSSOP
优势价格,M24C02-DRDW3TP/K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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M24C02-DRDW3TP/K的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

M24C02-DRDW3TP/K是一款由ST意法半导体推出的2Kbit串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的浮栅技术非易失性存储单元,内部组织为256×8位结构,数据在断电后仍可长期保持,为系统提供可靠的关键参数存储方案。其核心设计遵循工业标准的IC(Inter-Integrated Circuit)两线制串行接口协议,仅需时钟线(SCL)和数据线(SDA)即可实现与主控微处理器的通信,极大简化了PCB布局和系统连接复杂度。

该芯片具备多项满足严苛应用需求的功能特性。其宽电压供电范围(1.8V至5.5V)使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种逻辑电平,提升了设计的灵活性。高达1MHz的快速时钟频率配合450ns的快速访问时间,确保了数据读写的高效性。在数据写入方面,它支持字节写入和页写入(最大16字节)两种模式,字或页的典型写周期时间为4ms,在写入期间具有自动定时的内部擦除和编程周期,无需外部干预。所有操作均通过标准的IC协议指令进行控制,接口简洁高效。

在接口与关键参数层面,M24C02-DRDW3TP/K严格遵循AEC-Q100标准,属于其汽车级产品系列,能够在-40°C至125°C的极端环境温度下稳定工作,满足汽车电子对可靠性的高要求。其采用节省空间的8引脚TSSOP表面贴装封装,适合高密度PCB板设计。该器件内置写保护功能,可通过硬件引脚控制,防止数据被意外篡改。此外,其具有超过100万次的擦写周期和长达40年的数据保存期限,保证了产品在整个生命周期内的数据完整性。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高可靠性、宽温工作范围和紧凑的封装,该芯片非常适合应用于对环境适应性和数据安全性要求极高的领域。典型的应用场景包括汽车电子系统中的传感器数据校准、车身控制模块配置信息存储、事件记录器以及仪表盘显示参数存储。此外,在工业控制、智能电表、医疗设备、通信模块以及各类消费电子产品中,它也是存储设备标识、用户设置、运行日志等关键信息的理想选择,为系统提供稳定、持久且易于访问的非易失性存储解决方案。

  • 型号:M24C02-DRDW3TP/K
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-TSSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:EEPROM
  • 技术:EEPROM
  • 存储容量:2Kb
  • 存储器组织:256 x 8
  • 存储器接口:I2C
  • 时钟频率:1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:4ms
  • 访问时间:450 ns
  • 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-TSSOP
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M24C02-DRDW3TP/K是ST意法半导体推出的一款2Kbit容量串行EEPROM存储器,采用标准的IC接口,时钟频率最高可达1MHz。该器件设计用于在严苛环境下提供可靠的非易失性数据存储,其宽电压供电范围(1.8V至5.5V)确保了与多种逻辑电平系统的兼容性。

作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品,它能够在-40°C至125°C的宽温度范围内稳定工作,满足汽车电子应用的高可靠性要求。其具备超过100万次的擦写周期和长达40年的数据保存能力,并采用节省空间的8-TSSOP表面贴装封装,是汽车、工业及消费电子领域中存储配置参数、校准数据与设备标识等关键信息的优选解决方案。

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