M24C02-RDW6T

M24C02-RDW6T是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的2Kbit串行EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的浮栅技术（Floating Gate）架构，通过隧道效应实现电荷的注入与擦除，从而保证数据的非易失性存储。其内部组织为256×8位的结构，即256个字节，每个字节可独立寻址和擦写。这种架构确保了数据存储的灵活性和可靠性，即使在断电情况下，存储的信息也能长期保持，无需额外的电池或电源支持。

该芯片的核心特性在于其兼容标准IC（Inter-Integrated Circuit）总线接口，最高支持400kHz的时钟频率，能够与绝大多数微控制器或主处理器实现高效、简洁的双线通信。其工作电压范围宽达1.8V至5.5V，使其能够无缝兼容从低功耗设备到标准5V系统的各类应用场景，显著提升了设计的通用性。在数据写入方面，芯片支持字节写入和页写入模式，页大小为16字节，其典型的字或页写入周期时间为5ms。同时，其访问时间仅为900ns，确保了数据读取的高速响应。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关技术支持。

在电气参数与物理特性上，M24C02-RDW6T展现了出色的环境适应性。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，适用于工业级和消费级产品对宽温工作的严苛要求。芯片采用表面贴装型的8引脚TSSOP封装，封装宽度为4.40mm，体积小巧，非常适合空间受限的现代电子设备。产品提供卷带（TR）和剪切带（CT）包装，便于自动化贴片生产，提高生产效率。

基于其稳定的性能、宽电压兼容性及标准接口，该EEPROM芯片广泛应用于需要存储配置参数、校准数据、用户设置或事件日志的领域。典型应用场景包括智能电表、家用电器、工业控制模块、汽车电子子系统（如车身控制模块）、医疗设备以及各类物联网（IoT）传感器节点。它为这些设备提供了一种成本效益高、占用空间小且可靠的非易失性存储解决方案。

• 型号:M24C02-RDW6T
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:2Kb
• 存储器组织:256 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• 想获取M24C02-RDW6T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

M24C02-RDW6T是ST意法半导体生产的一款2Kbit（256字节）串行EEPROM存储器。该器件采用非易失性存储技术，通过标准IC接口进行通信，时钟频率最高可达400kHz，确保了与主控芯片间简洁高效的数据交换。

其核心优势在于1.8V至5.5V的宽工作电压范围，使其能灵活适配从低功耗到标准电压的各种系统。同时，它具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围和5ms的典型写入时间，在严苛环境下也能保证数据存储的可靠性与稳定性。芯片采用8-TSSOP表面贴装封装，适合空间紧凑的现代化电子设计。