M24C02-RMB6TG

M24C02-RMB6TG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于IC串行接口的2Kbit EEPROM非易失性存储器芯片。该器件采用先进的CMOS EEPROM技术制造，其核心架构由一个256 x 8位的存储阵列构成，通过内部集成的升压泵电路，实现了在单电源电压下对存储单元的可靠编程与擦除操作。芯片内部集成了完整的地址解码器、控制逻辑以及数据寄存器，确保了在宽电压范围内的稳定数据读写。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围（1.8V至5.5V）与低功耗特性上，使其能够无缝兼容从1.8V、3.3V到5V的各种主流逻辑系统。其IC接口支持标准模式（100kHz）和快速模式（400kHz）两种时钟频率，为系统设计提供了灵活的通信速率选择。在数据保护方面，芯片提供了可编程的写保护功能，并具备高达100万次的擦写周期以及超过40年的数据保存期限，确保了关键参数在严苛环境下的长期可靠性。对于需要稳定供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术支持和供货信息。

在接口与关键参数层面，M24C02-RMB6TG采用两线制IC接口，极大简化了与主控制器（如MCU）的连接，仅需两条信号线（串行时钟SCL和串行数据SDA）即可完成所有通信。其页写模式允许一次性连续写入多达16字节的数据，配合5ms的典型写周期时间，有效提升了数据存储效率。芯片的访问时间为900ns，支持字节读写和随机读取操作。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C，并采用节省空间的8引脚UFDFN表面贴装封装，非常适合高密度PCB板的设计。

基于上述特性，M24C02-RMB6TG广泛应用于需要存储配置参数、校准数据或用户设置的各类电子设备中。典型应用场景包括智能电表、家用电器、工业控制模块、医疗仪器、汽车电子（如车身控制模块）以及消费类电子产品。其宽压、低功耗和小型化封装的特点，使其成为电池供电的便携式设备、物联网传感器节点等对空间和功耗敏感应用的理想存储解决方案。

• 型号:M24C02-RMB6TG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-UFDFPN（2x3）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 8UFDFPN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:2Kb
• 存储器组织:256 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-UFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-UFDFPN（2x3）
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M24C02-RMB6TG是意法半导体生产的一款2Kbit容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC两线制接口，支持高达400kHz的通信速率，并具备1.8V至5.5V的宽电源电压范围，兼容性极强。

其核心参数包括256 x 8位的存储结构，5ms的页写入时间，以及-40°C至85°C的工业级工作温度范围。器件提供高达100万次的擦写周期和超过40年的数据保存能力，采用8-UFDFN小型化封装，适用于对可靠性和空间有严格要求的各类嵌入式系统。