M24C02-WDW6T

M24C02-WDW6T是一款由ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的串行EEPROM存储器芯片，采用成熟的浮栅技术（Floating Gate）架构。该架构通过隧道效应实现电子的注入与擦除，从而在无需外部电源的情况下长期保持数据，其非易失特性确保了在系统断电后，存储的配置参数、校准数据或用户设置等信息不会丢失。芯片内部组织为256×8位的存储阵列，即256字节，通过高效的内部电荷泵和写控制逻辑管理数据的写入与擦除过程。

该器件集成了多项旨在提升系统可靠性和简化设计的功能。其宽电压供电范围（2.5V至5.5V）使其能够无缝兼容从低功耗微控制器到传统5V系统的多种平台。支持标准模式（100kHz）和快速模式（400kHz）的IC串行接口，仅需两条总线（串行数据线SDA和串行时钟线SCL）即可完成所有读写操作，极大节省了微控制器的I/O资源和PCB空间。芯片内置的写保护功能可通过硬件引脚控制，防止意外写入，同时其页写模式允许在一次操作中连续写入多达16字节的数据，显著提高了批量数据存储的效率，典型字/页写入周期时间为5ms。

在电气参数方面，M24C02-WDW6T表现出色。访问时间仅为900ns，配合400kHz的时钟频率，能够满足大多数嵌入式应用对数据读取速度的要求。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。芯片采用8引脚TSSOP表面贴装封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取该产品及相关技术支持。

凭借其稳定的性能和简洁的接口，这款EEPROM非常适合应用于需要存储少量但关键数据的场景。例如，在智能电表、家用电器和工业控制设备中，用于保存设备ID、运行参数或累积数据；在消费电子领域，如电视机顶盒、打印机墨盒，用于存储配置和耗材信息；此外，在汽车电子模块（如车身控制模块、传感器）中，其宽温特性也使其成为存储校准数据的可靠选择，尽管该型号目前已处于停产状态，但在许多现有设计和备件供应中仍占有重要地位。

• 型号:M24C02-WDW6T
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:2Kb
• 存储器组织:256 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:2.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
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M24C02-WDW6T是ST意法半导体生产的一款2Kbit串行EEPROM存储器。该芯片采用IC接口，支持高达400kHz的通信速率，并提供2.5V至5.5V的宽电压供电范围，兼容性出色。其存储结构为256×8位，具备非易失特性，确保数据在断电后长期保存。

该器件提供快速的900ns访问时间和5ms的典型写入时间，并支持页写操作以提高效率。其工业级工作温度范围（-40°C至85°C）和8-TSSOP表面贴装封装，使其能够适应各种嵌入式应用环境对可靠性和空间的要求。