M24C04-BN6

M24C04-BN6是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的4Kb EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的EEPROM技术构建，其核心存储阵列组织为512 x 8位结构，即512字节，为用户提供了可靠的非易失性数据存储解决方案。芯片内部集成了必要的地址解码、时序控制和高压生成电路，确保了在单电源供电条件下即可完成数据的读写与擦除操作，其设计注重于在标准工业电压范围内的稳定性和数据保持能力。

该芯片的功能特性围绕其高效的串行通信与可靠的数据管理展开。它支持标准的IC总线协议，最高时钟频率可达400kHz，实现了与微控制器或其他主机设备的高速双向通信。页写模式是其一项关键特性，允许在一次写操作中连续写入最多16字节的数据，这显著提升了多字节数据存储的效率，减少了总线占用和整体写入时间。同时，芯片内置的写保护功能可通过硬件引脚进行控制，防止存储内容被意外修改，增强了系统的安全性。其数据保存期限典型值超过40年，每个存储单元可承受至少100万次的擦写循环，满足了大多数应用对数据持久性和耐用性的要求。

在接口与电气参数方面，M24C04-BN6设计为宽电压工作，供电范围在4.5V至5.5V之间，兼容标准的5V系统。其访问时间为900ns，字或页的写入周期典型值为5ms。器件提供三个地址选择引脚，允许在同一IC总线上挂接多达八个同型号器件，扩展了系统存储容量。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，确保了在严苛工业环境下的适用性。该芯片采用经典的8引脚DIP通孔封装，便于在原型开发或需要高可靠性的板卡上进行焊接与安装。对于需要获取此型号样品或技术支持的工程师，可以通过授权的ST代理商进行咨询。

鉴于其稳定的性能和成熟的接口，M24C04-BN6广泛应用于需要存储配置参数、校准数据、用户设置或事件日志的各类电子系统中。典型应用场景包括工业控制设备、汽车电子模块（如车身控制单元）、智能电表、医疗仪器以及通信设备等。尽管其零件状态已标注为停产，意味着ST可能已推出引脚兼容或性能更优的替代型号，但该芯片在现有系统和一些对长期供货及可靠性有特定要求的维护项目中，依然具有一定的应用价值和参考意义。

• 型号:M24C04-BN6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-PDIP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:4Kb
• 存储器组织:512 x 8
• 存储器接口:I2C
• 时钟频率:400 kHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:900 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-PDIP
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M24C04-BN6是ST意法半导体生产的一款4Kb（512字节）串行EEPROM存储器。该器件采用标准的IC接口，支持高达400kHz的通信速率，并具备页写功能，可有效提升多字节数据的写入效率。

其工作电压范围为4.5V至5.5V，兼容5V系统，字或页写入周期为5ms，访问时间为900ns。芯片提供硬件写保护引脚，数据保存期限超过40年，且耐受至少100万次擦写。其宽工作温度范围（-40°C至85°C）和8-DIP通孔封装，使其适用于对可靠性和耐用性有要求的工业与汽车电子应用。